铌酸锂调制器核心区域的电学特性研究及仿真
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第15页 |
| 1.2 铌酸锂晶体的研究历史和发展 | 第15页 |
| 1.3 铌酸锂调制器的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第16-19页 |
| 第二章 铌酸锂晶体的性质及光电调制器原理 | 第19-39页 |
| 2.1 铌酸锂晶体的物理性质 | 第19-20页 |
| 2.2 张量采用的坐标系统 | 第20-21页 |
| 2.3 铌酸锂晶体的一般物理特性 | 第21-23页 |
| 2.4 铌酸锂电光调制器的原理简述 | 第23-31页 |
| 2.4.1 线性电光效应 | 第24-27页 |
| 2.4.2 利用光电效应进行最优电光调制 | 第27-31页 |
| 2.5 铌酸锂波导电光调制器简介 | 第31-32页 |
| 2.6 几种常用铌酸锂调制器的类型 | 第32-39页 |
| 第三章 波导调制器中的调制失效现象研究 | 第39-55页 |
| 3.1 铌酸锂波导调制器中的直流漂移现象 | 第39页 |
| 3.2 测量直流漂移的方法 | 第39-40页 |
| 3.3 短期直流漂移产生原因及改善方案 | 第40-46页 |
| 3.4 长期漂移产生的及建模 | 第46-50页 |
| 3.5 电学参数对电路的影响 | 第50-53页 |
| 3.5.1 电容C_1对电路的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.2 电容C_2对电路的影响 | 第51-52页 |
| 3.5.3 波导区域电阻改变对电路的影响 | 第52-53页 |
| 3.6 小结 | 第53-55页 |
| 第四章 调制器核心区域的电场分布研究 | 第55-73页 |
| 4.1 波导区域的电场分布 | 第55-56页 |
| 4.2 仿真步骤 | 第56-58页 |
| 4.3 点匹配法求波导区域的电场分布 | 第58-65页 |
| 4.4 HFSS提取电容参数的方法 | 第65-68页 |
| 4.4.1 电容提取的理论方法 | 第66-67页 |
| 4.4.2 仿真过程 | 第67-68页 |
| 4.5 点匹配(PMM)求结构的分布电容 | 第68-71页 |
| 4.6 系统带宽的分析和设计 | 第71-72页 |
| 4.7 小结 | 第72-73页 |
| 第五章 调制器的频率特性及频率响应失真研究 | 第73-79页 |
| 5.1 MZM正弦响应 | 第73-75页 |
| 5.2 一阶RC等效电路的系统函数研究 | 第75-76页 |
| 5.3 MZM的方波响应 | 第76-79页 |
| 第六章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 研究结论 | 第79页 |
| 6.2 研究展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 作者简介 | 第85-86页 |
