| 致谢 | 第5-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二维材料的介绍 | 第11-14页 |
| 1.3 二维材料的相关应用 | 第14-15页 |
| 1.4 二维材料的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.4.1 自上而下的方法 | 第15页 |
| 1.4.2 自下而上的方法 | 第15-16页 |
| 1.5 三硫化二砷的研究现状及应用 | 第16-19页 |
| 1.5.1 研究现状 | 第16-18页 |
| 1.5.2 三硫化二砷的应用 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文选题背景及主要研究目的意义 | 第19-20页 |
| 1.7 本论文的结构与安排 | 第20-21页 |
| 2 单层及薄层三硫化二砷的制备 | 第21-28页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 单层及薄层三硫化二砷的制备方法 | 第21-22页 |
| 2.3 制备所需器材与材料 | 第22页 |
| 2.4 材料剥离及制备过程 | 第22-24页 |
| 2.4.1 衬底清洗 | 第22-23页 |
| 2.4.2 剥离操作过程 | 第23-24页 |
| 2.5 寻找和定位单层及薄层样品 | 第24-27页 |
| 2.5.1 安放样品硅片 | 第24页 |
| 2.5.2 在光学显微镜下初步区分单层、薄层和体材料 | 第24-26页 |
| 2.5.3 定位方法——十字交叉点定位法 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 样品的表征 | 第28-53页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第28-32页 |
| 3.2.1 SEM工作原理 | 第29-30页 |
| 3.2.2 样品表征结果 | 第30-32页 |
| 3.3 原子力显微镜(AFM)表征 | 第32-41页 |
| 3.3.1 AFM工作原理 | 第33-34页 |
| 3.3.2 样品表征结果 | 第34-36页 |
| 3.3.3 样品层数及厚度分析 | 第36-41页 |
| 3.4 拉曼光谱研究 | 第41-47页 |
| 3.4.1 工作原理 | 第42页 |
| 3.4.2 拉曼表征结果 | 第42-46页 |
| 3.4.3 测试结果分析 | 第46页 |
| 3.4.4 测试中存在的问题 | 第46-47页 |
| 3.5 光致发光谱表征 | 第47-52页 |
| 3.5.1 工作原理 | 第47-48页 |
| 3.5.2 光致发光测试结果 | 第48-50页 |
| 3.5.3 测试结果分析 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 单层As_2S_3场效应晶体管的制备及电学性能表征 | 第53-64页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 场效应晶体管的原理 | 第53-55页 |
| 4.3 单层三硫化二砷场效应晶体管的设计 | 第55-56页 |
| 4.4 性能测试 | 第56-62页 |
| 4.4.1 转移特性曲线 | 第57-61页 |
| 4.4.2 输出特性曲线 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 结论与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 作者简历 | 第68-70页 |
| 学位论文数据集 | 第70页 |