| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究动机 | 第10页 |
| 1.2 集成的优势 | 第10-11页 |
| 1.3 微波开关 | 第11-12页 |
| 1.4 硅基金属氧化物半导体场效应管（MOSFET） | 第12-14页 |
| 1.5 微波开关相关进展 | 第14-16页 |
| 1.6 本文内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 微波开关关键性能参数及改善方法 | 第17-30页 |
| 2.1 插入损耗 | 第17-18页 |
| 2.2 隔离度 | 第18-19页 |
| 2.3 回波损耗 | 第19-20页 |
| 2.4 功率处理能力和线性度 | 第20-23页 |
| 2.4.1 寄生结二极管的正偏 | 第20-21页 |
| 2.4.2 晶体管工作状态的改变 | 第21页 |
| 2.4.3 击穿 | 第21-23页 |
| 2.5 功率处理能力的改善 | 第23-29页 |
| 2.5.1 交流浮栅技术和交流浮体技术 | 第23-25页 |
| 2.5.2 负压偏置技术 | 第25-27页 |
| 2.5.3 晶体管串叠技术 | 第27页 |
| 2.5.4 前馈电容技术 | 第27-28页 |
| 2.5.5 阻抗变换技术 | 第28-29页 |
| 2.5.6 不对称结构 | 第29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 无源器件 | 第30-38页 |
| 3.1 电感 | 第30-32页 |
| 3.2 变压器型差分电感 | 第32-34页 |
| 3.3 变压器型巴伦 | 第34-35页 |
| 3.4 集总四分之一波长传输线 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 微波体硅CMOS开关设计 | 第38-58页 |
| 4.1 低插损高频微波Triple-well体硅CMOS开关 | 第38-51页 |
| 4.1.1 差分结构的优点 | 第38-39页 |
| 4.1.2 低插损微波开关的设计与分析 | 第39-46页 |
| 4.1.3 芯片测试结果 | 第46-51页 |
| 4.2 高隔离度高频微波Triple-well体硅CMOS开关 | 第51-57页 |
| 4.2.1 高隔离微波开关的设计与分析 | 第51-53页 |
| 4.2.2 芯片测试结果 | 第53-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 高功率处理能力的SOI开关设计 | 第58-73页 |
| 5.1 高功率低频微波SOI开关设计与分析 | 第58-67页 |
| 5.2 版图和后仿真 | 第67-71页 |
| 5.3 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 6.1 全文总结 | 第73-74页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第82-83页 |
