| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 国外发展现状 | 第12-15页 |
| 1.2.2 国内发展现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 并联式电容RF MEMS开关的主要理论 | 第18-26页 |
| 2.1 并联式电容RF MEMS开关的工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2 并联式电容RF MEMS开关工作过程 | 第19-20页 |
| 2.3 下拉电压的分析及计算 | 第20-21页 |
| 2.4 并联式电容RF MEMS开关的主要性能参数 | 第21-22页 |
| 2.4.1 插入损耗 | 第21页 |
| 2.4.2 隔离度 | 第21页 |
| 2.4.3 驱动电压 | 第21-22页 |
| 2.4.4 开关时间 | 第22页 |
| 2.4.5 电容比 | 第22页 |
| 2.5 并联式电容RF MEMS开关的失效机理 | 第22-25页 |
| 2.5.1 并联式电容RF MEMS开关失效的原因 | 第22-23页 |
| 2.5.2 减轻并联式电容RF MEMS开关失效的常用方法 | 第23-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 两种常见结构并联式电容RF MEMS开关的仿真 | 第26-53页 |
| 3.1 并联式电容RF MEMS开关的材料选择及梁膜尺寸选择 | 第26-29页 |
| 3.1.1 并联式电容RF MEMS开关的材料选择 | 第26-27页 |
| 3.1.2 并联式电容RF MEMS开关的梁膜尺寸选择 | 第27-28页 |
| 3.1.3 并联式电容RF MEMS开关下拉电压与梁膜参数的关系 | 第28-29页 |
| 3.2 并联式电容RF MEMS开关的电磁性能及其影响因素 | 第29-31页 |
| 3.2.1 并联式电容RF MEMS开关的CLR等效电路图 | 第29-30页 |
| 3.2.2 插入损耗的S参数表征 | 第30-31页 |
| 3.2.3 隔离度的S参数表征 | 第31页 |
| 3.3 第一种固支梁结构开关的仿真 | 第31-42页 |
| 3.3.1 第一种固支梁结构开关的机电仿真 | 第31-37页 |
| 3.3.2 第一种固支梁结构开关的电磁仿真 | 第37-41页 |
| 3.3.3 第一种固支梁结构开关的最终结构及仿真 | 第41-42页 |
| 3.4 第二种低弹性系数结构开关的仿真 | 第42-52页 |
| 3.4.1 第二种低弹性系数结构开关的机电仿真 | 第42-48页 |
| 3.4.2 第二种低弹性系数结构开关的电磁仿真 | 第48-50页 |
| 3.4.3 第二种低弹性系数结构开关的最终结构及仿真 | 第50-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 新折叠梁结构RF MEMS开关的仿真 | 第53-66页 |
| 4.1 新折叠梁结构开关的机电仿真 | 第53-60页 |
| 4.1.1 梁膜长度l的确定 | 第53-56页 |
| 4.1.2 上极板宽度w的确定 | 第56-57页 |
| 4.1.3 梁膜厚度t的确定 | 第57-58页 |
| 4.1.4 初始间距g0的确定 | 第58-59页 |
| 4.1.5 梁宽w'的确定 | 第59-60页 |
| 4.2 新折叠梁结构开关的电磁仿真 | 第60-63页 |
| 4.2.1 梁膜与绝缘介质层初始间距g0对插入损耗的影响 | 第61页 |
| 4.2.2 绝缘介质层厚度td对隔离度的影响 | 第61-62页 |
| 4.2.3 开关的宽度w对插入损耗及隔离度的影响 | 第62-63页 |
| 4.3 新折叠梁结构开关的最终结构及仿真 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 分布式MEMS移相器探究 | 第66-74页 |
| 5.1 移相器简介 | 第66页 |
| 5.2 MEMS移相器的分类 | 第66-70页 |
| 5.2.1 开关线性MEMS移相器 | 第66-67页 |
| 5.2.2 分布式MEMS移相器 | 第67-70页 |
| 5.3 分布式MEMS移相器的仿真研究 | 第70-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
