| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 薄膜太阳电池的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 硅基薄膜太阳电池 | 第12-13页 |
| 1.2.2 碲化镉太阳电池 | 第13页 |
| 1.2.3 铜铟镓硒太阳电池 | 第13-14页 |
| 1.2.4 染料敏化太阳电池 | 第14页 |
| 1.3 锆钛酸铅(PZT)材料的铁电光伏特性 | 第14-16页 |
| 1.4 砷化镓(GaAs)的基本性质 | 第16-17页 |
| 1.5 论文选题及其研究方案 | 第17-19页 |
| 第二章 半导体异质结的制备及其表征方法 | 第19-30页 |
| 2.1 半导体异质结的制备方法 | 第19-25页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD)制备薄膜技术简介 | 第19-20页 |
| 2.1.2 激光分子束外延(L-MBE)制备薄膜技术简介 | 第20-23页 |
| 2.1.3 缓冲层薄膜生长原位监测方法 | 第23-24页 |
| 2.1.4 高能电子束衍射(RHEED)的原理 | 第24-25页 |
| 2.2 薄膜的微观结构表征方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第25-27页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3 薄膜的电学性能测试 | 第28-29页 |
| 2.3.1 薄膜的I-V性质 | 第28-29页 |
| 2.4 光伏性能的测试 | 第29-30页 |
| 第三章 PZT/GaAs异质结的制备 | 第30-41页 |
| 3.1 GaAs基底上生长STO薄膜 | 第30-33页 |
| 3.1.1 GaAs基片的表面处理 | 第30-31页 |
| 3.1.2 STO薄膜生长过程中温度的影响 | 第31-33页 |
| 3.2 PZT薄膜的制备 | 第33-37页 |
| 3.2.1 PZT薄膜的制备工艺 | 第33-34页 |
| 3.2.2 温度对PZT薄膜结构的影响 | 第34-36页 |
| 3.2.3 氧分压对PZT薄膜的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 PZT/STO/GaAs结构匹配分析 | 第37-38页 |
| 3.4 厚度对PZT薄膜铁电性的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 器件的光伏特性研究 | 第41-52页 |
| 4.1 ITO透明导电电极的制备 | 第41-42页 |
| 4.2 ITO/PZT/STO/GaAs紫外-可见光谱分析 | 第42-44页 |
| 4.3 样品的铁电性能分析 | 第44页 |
| 4.4 PZT/STO/GaAs的光电特性 | 第44-50页 |
| 4.4.1 PZT/ GaAs的J-V特性曲线 | 第44-46页 |
| 4.4.2 PZT/STO/GaAs的光伏特性 | 第46-47页 |
| 4.4.3 PZT膜厚对样品的光电性能影响 | 第47-48页 |
| 4.4.4 极化与样品光电性能的影响 | 第48-50页 |
| 4.4.5 光照强度对样品的光电性能的影响 | 第50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 结论 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第60-61页 |
