周期性硅纳米线和纳米多孔硅的制备及其光电性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·纳米材料简介 | 第8-12页 |
| ·纳米图形化工艺 | 第8-10页 |
| ·硅纳米结构材料 | 第10-12页 |
| ·二维胶体球自组装方法 | 第12-14页 |
| ·晶体硅的表面钝化 | 第14-16页 |
| ·本文的选题依据、主要内容和结构安排 | 第16-18页 |
| ·选题依据 | 第16页 |
| ·主要内容 | 第16-17页 |
| ·结构安排 | 第17-18页 |
| 第二章 实验方案与表征 | 第18-26页 |
| ·实验方案与原理 | 第18-22页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·二维胶体晶体掩膜的制备 | 第19-20页 |
| ·SiNW的制备方法及机理 | 第20-21页 |
| ·SiNH的制备方法及机理 | 第21-22页 |
| ·硅纳米结构的表面改性 | 第22页 |
| ·实验设备与实验材料 | 第22-24页 |
| ·实验设备 | 第22-24页 |
| ·实验材料与试剂 | 第24页 |
| ·表征方法 | 第24-26页 |
| 第三章 二维纳米胶体球膜版的制备 | 第26-35页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·衬底的处理 | 第26-27页 |
| ·衬底硅片的清洗 | 第26-27页 |
| ·衬底的亲水处理 | 第27页 |
| ·二维纳米胶体球膜版的制备 | 第27-29页 |
| ·单层聚苯乙烯纳米球紧密排列 | 第27-28页 |
| ·RIE刻蚀聚苯乙烯纳米球 | 第28-29页 |
| ·实验结果分析讨论 | 第29-34页 |
| ·悬浮液混合比例对PS纳米球自组装的影响 | 第29-30页 |
| ·胶体球粒径对聚苯乙烯微球自组装的影响 | 第30-31页 |
| ·RIE刻蚀功率对PS形貌结果的影响 | 第31-32页 |
| ·O_2流量对PS直径的影响 | 第32-33页 |
| ·刻蚀时间对PS直径的影响 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 纳米多孔硅与硅纳米线的制备及其光学性质 | 第35-48页 |
| ·纳米多孔硅的制备 | 第35-40页 |
| ·金属Ni掩膜的制备及其对SiNH的影响 | 第35-36页 |
| ·RIE射频功率对刻蚀结果的影响 | 第36-37页 |
| ·SF_6流量对刻蚀结果的影响 | 第37-39页 |
| ·腔体气压对刻蚀形貌的影响 | 第39-40页 |
| ·纳米多孔硅的光学性质 | 第40-42页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第42-46页 |
| ·PS微球模板对SiNWs的影响 | 第42-43页 |
| ·化学刻蚀时间对SiNWs的影响 | 第43页 |
| ·Au膜厚度对SiNW湿法刻蚀的影响 | 第43-45页 |
| ·团簇现象及优化刻蚀参数 | 第45-46页 |
| ·硅纳米线的光学性质 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 硅纳米结构的光电特性 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·SiNW光阴极的制备与研究 | 第48-50页 |
| ·光电阴极的制备方法 | 第48-49页 |
| ·SiNW光电阴极的性能表征 | 第49-50页 |
| ·SiNW/TiO_2光阴极的制备与研究 | 第50-52页 |
| ·SiNW/TiO_2光阴极制备过程 | 第50页 |
| ·SiNW/TiO_2光催化性能表征 | 第50-52页 |
| ·SiNW@Au光阴极的制备与研究 | 第52-56页 |
| ·设计思路 | 第52-53页 |
| ·在样品表面加金纳米颗粒的实验过程 | 第53-54页 |
| ·SiNW@Au光电性能表征 | 第54-56页 |
| ·SiNW/a-Si:H光阴极的制备与研究 | 第56-61页 |
| ·SiNW/a-Si:H异质结设计思路 | 第56-57页 |
| ·SiNW/a-Si:H异质结制备过程 | 第57-60页 |
| ·SiNW/a-Si:H电极光催化性能表征 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
