| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·场发射阴极材料的研究背景及现状 | 第10-11页 |
| ·材料的概述 | 第11-13页 |
| ·DLC薄膜的结构及场发射研究现状 | 第11-12页 |
| ·TiO_2纳米材料的结构及分类 | 第12-13页 |
| ·纳米复合薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·薄膜制备的物理方法 | 第14页 |
| ·薄膜沉积的化学方法 | 第14-16页 |
| ·材料的表征 | 第16-17页 |
| ·形貌的表征 | 第16-17页 |
| ·材料的结构表征 | 第17页 |
| ·场发射研究的现状及测试机理 | 第17-19页 |
| ·场发射测试 | 第17-18页 |
| ·场致电子发射材料的评价参数 | 第18-19页 |
| ·场致电子发射理论 | 第19页 |
| ·本文的选题依据和研究内容 | 第19-21页 |
| ·选题依据 | 第19-20页 |
| ·主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 TNTs阵列的制备及其场发射性能 | 第21-31页 |
| ·前言 | 第21-22页 |
| ·样品制备与表征方法 | 第22-23页 |
| ·实验装置 | 第22页 |
| ·样品制备过程 | 第22-23页 |
| ·样品表征方法 | 第23页 |
| ·TNTs阵列薄膜的SEM形貌 | 第23-27页 |
| ·阳极氧化电压的影响 | 第23-26页 |
| ·阳极氧化时间的影响 | 第26-27页 |
| ·TNTs阵列薄膜的形成机理 | 第27-28页 |
| ·TNTs阵列薄膜的场发射性能 | 第28-30页 |
| ·阳极氧化电压对场发射性能的影响 | 第28-29页 |
| ·阳极氧化时间对场发射性能的影响 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章a-CNTs/TNTs阵列的制备及其场发射性能 | 第31-40页 |
| ·前言 | 第31页 |
| ·样品制备及表征方法 | 第31-33页 |
| ·实验装置 | 第31-32页 |
| ·样品制备过程 | 第32页 |
| ·样品表征方法 | 第32-33页 |
| ·a-CNTs/TNTs阵列薄膜的SEM形貌 | 第33-36页 |
| ·沉积电压的影响 | 第33-35页 |
| ·沉积时间的影响 | 第35-36页 |
| ·a-CNTs/TNTs阵列薄膜的场发射性能 | 第36-39页 |
| ·沉积电压对场发射性能的影响 | 第36-38页 |
| ·沉积时间对场发射性能的影响 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章a-CNTs/TNTs阵列的结构及场发射增强机理 | 第40-48页 |
| ·前言 | 第40页 |
| ·样品的制备 | 第40-41页 |
| ·实验装置 | 第40页 |
| ·样品制备过程 | 第40-41页 |
| ·样品的表征方法 | 第41页 |
| ·样品的表征 | 第41-45页 |
| ·SEM表征 | 第41-42页 |
| ·TEM表征 | 第42-44页 |
| ·XRD表征 | 第44页 |
| ·Raman表征 | 第44-45页 |
| ·场发射增强机理 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录 | 第57页 |