| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·SiC陶瓷的性能与应用 | 第8-11页 |
| ·SiC陶瓷的结构 | 第8-9页 |
| ·SiC陶瓷的性能 | 第9-10页 |
| ·SiC陶瓷的应用 | 第10-11页 |
| ·SiC陶瓷的研究进展 | 第11-14页 |
| ·SiC陶瓷的主要制备方法 | 第11-13页 |
| ·SiC陶瓷烧结助剂的选择 | 第13-14页 |
| ·本文研究的目的、内容与技术路线 | 第14-17页 |
| ·研究目的 | 第14页 |
| ·研究内容 | 第14页 |
| ·技术路线 | 第14-17页 |
| 第二章 研究方法及基本原理 | 第17-26页 |
| ·X射线衍射分析方法 | 第17-18页 |
| ·X射线衍射分析原理 | 第17页 |
| ·X射线衍射分析应用 | 第17-18页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第18-20页 |
| ·扫描电子显微镜原理 | 第18-19页 |
| ·SEM的用途 | 第19-20页 |
| ·介电谱测量原理 | 第20-23页 |
| ·电介质的极化机制 | 第20页 |
| ·动态介电常数 | 第20-21页 |
| ·复介电常数的测量原理 | 第21-22页 |
| ·介电谱方法的优点 | 第22-23页 |
| ·热膨胀测量原理 | 第23-24页 |
| ·固体烧结理论 | 第24-25页 |
| ·实验仪器 | 第25-26页 |
| 第三章 不同烧结温度与工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响 | 第26-31页 |
| ·概述 | 第26页 |
| ·制备方案 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-30页 |
| ·样品质量损失分析 | 第27页 |
| ·微观形貌分析 | 第27-28页 |
| ·物相分析 | 第28-30页 |
| ·结论 | 第30-31页 |
| 第四章 NdOCl-MgO助烧剂配比对SiC陶瓷烧结及介电性能影响 | 第31-35页 |
| ·概述 | 第31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-33页 |
| ·陶瓷样品的XRD检测分析 | 第32页 |
| ·显微形貌 | 第32-33页 |
| ·介电性能分析 | 第33页 |
| ·结论 | 第33-35页 |
| 第五章 LaF_3-MgO为烧结助剂对SiC陶瓷烧结及热膨胀影响 | 第35-39页 |
| ·概述 | 第35页 |
| ·实验 | 第35-36页 |
| ·结果与分析 | 第36-38页 |
| ·SiC-MgO+LaF_3系列复合陶瓷试样XRD分析 | 第36页 |
| ·SiC-MgO+LaF_3系列复合陶瓷试样SEM分析 | 第36-37页 |
| ·SiC-MgO+LaF_3系列复合陶瓷试样热学性能分析 | 第37-38页 |
| ·结论 | 第38-39页 |
| 第六章 总结与展望 | 第39-41页 |
| ·总结 | 第39-40页 |
| ·展望 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 作者简介 | 第46-47页 |
| 导师评阅表 | 第47页 |
