摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-19页 |
·研究背景 | 第10-13页 |
·国内外研究进展情况 | 第13-15页 |
·本课题的主要研究内容和重点 | 第15-16页 |
·表征方法 | 第16-18页 |
·台阶仪 | 第16页 |
·扫描电子显微分析(SEM) | 第16页 |
·能谱分析(EDS) | 第16-17页 |
·X射线衍射(XRD) | 第17页 |
·扫描探针显微镜(SPM) | 第17-18页 |
本章小结 | 第18-19页 |
第二章 碳离子在Si、Er、Co、Ti、Ni基体内分布的模拟 | 第19-34页 |
·TRIM软件的介绍 | 第19页 |
·TRIM软件的优点 | 第19-20页 |
·TRIM软件的使用 | 第20-22页 |
·模拟内容 | 第22页 |
·强流脉冲离子束方法碳离子注入不同基体的沉积图像及分析 | 第22-25页 |
·磁控溅射方法碳离子渗入不同基体的沉积图像及分析 | 第25-26页 |
·直流非平衡磁控溅射制备石墨类薄膜样品中碳离子沉积能量的计算 | 第25-26页 |
·模拟直流非平衡磁控溅射实验制备的薄膜样品中碳离子在硅及金属上的沉积图像 | 第26-33页 |
·不同平均能量的碳离子在Si上沉积的图像 | 第26-28页 |
·不同平均能量的碳离子在Er上沉积的图像 | 第28-29页 |
·不同平均能量的碳离子在Cu上沉积的图像 | 第29-30页 |
·不同平均能量的碳离子在Fe上沉积的图像 | 第30-32页 |
·图像分析 | 第32-33页 |
本章小结 | 第33-34页 |
第三章 直流非平衡磁控溅射方法制备石墨类薄膜 | 第34-51页 |
·磁控溅射设备及原理介绍 | 第34-35页 |
·磁控溅射设备 | 第34-35页 |
·磁控溅射技术 | 第35页 |
·磁控溅射的特点 | 第35页 |
·预处理 | 第35-36页 |
·磁控溅射工艺 | 第36-37页 |
·实验工艺参数 | 第37-38页 |
·真空退火处理 | 第38-40页 |
·真空热处理的优点和真空热处理设备 | 第38-39页 |
·真空热处理工艺 | 第39-40页 |
·实验结果分析及结论 | 第40-50页 |
·小角掠入射的方法原理,设备型号X射线衍射(XRD)分析 | 第40-42页 |
·表面形貌分析 | 第42-50页 |
本章小结 | 第50-51页 |
第四章 强流脉冲离子束制备石墨类薄膜 | 第51-70页 |
·强流离子束设备简介 | 第51页 |
·强流离子束设备原理简介 | 第51-52页 |
·基体材料的前处理 | 第52页 |
·HIPIB的实验工艺 | 第52页 |
·实验结果及分析 | 第52-65页 |
·形貌分析 | 第52-57页 |
·样品表面元素含量分析 | 第57-64页 |
·样品表面形貌粗糙度分析 | 第64-65页 |
·真空退火处理及实验结果分析 | 第65-68页 |
本章小结 | 第68-70页 |
结论 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |
致谢 | 第75-76页 |