| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 1 绪论 | 第14-45页 |
| ·非易失存储技术发展概况与面临的挑战 | 第14-23页 |
| ·FLASH存储器 | 第14-17页 |
| ·新型非易失性存储技术 | 第17-22页 |
| ·RRAM存储器的技术优势 | 第22-23页 |
| ·RRAM材料与器件的研究现状 | 第23-33页 |
| ·RRAM概述 | 第24-26页 |
| ·RRAM材料体系 | 第26-29页 |
| ·RRAM阻变机制 | 第29-33页 |
| ·RRAM研究存在的问题 | 第33页 |
| ·论文研究的内容及意义 | 第33-36页 |
| ·研究内容 | 第33-34页 |
| ·研究意义 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-45页 |
| 2 制备方法与表征技术 | 第45-56页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第45-48页 |
| ·磁控溅射沉积技术 | 第45-46页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第46-47页 |
| ·化学气相沉积 | 第47-48页 |
| ·光学曝光技术 | 第48页 |
| ·反应离子刻蚀技术 | 第48-49页 |
| ·表征方法 | 第49-54页 |
| ·X射线衍射分析 | 第49页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第49-51页 |
| ·拉曼光谱 | 第51页 |
| ·高分辨透射电子显微镜 | 第51-52页 |
| ·紫外-可见分光光度法 | 第52页 |
| ·电流-电压特性 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 3 基于Dy_2O_3薄膜RRAM的电阻转变特性研究 | 第56-85页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·Pt/Dy_2O_3/Pt结构单元的电阻转变特性 | 第56-60页 |
| ·Pt/Dy_2O_3/Pt器件的制备与表征 | 第56-59页 |
| ·Pt/Dy_2O_3/t结构器件的电阻转变特性 | 第59-60页 |
| ·Ti纳米金属插层对Dy_2O_3薄膜电阻转变特性的影响 | 第60-67页 |
| ·Pt/Ti-EL/Dy_2O_3/Pt器件的制备与表征 | 第60-61页 |
| ·Pt/Ti-EL/Dy_2O_3/Pt器件的电阻转变特性 | 第61-64页 |
| ·机制分析 | 第64-67页 |
| ·Pt纳米晶插层对Dy_2O_3薄膜电阻转变特性的影响 | 第67-73页 |
| ·Cu/Nc-Pt/Dy_2O_3/Pt器件的制备与表征 | 第67-68页 |
| ·Cu/Nc-Pt/Dy_2O_3/Pt器件的电阻转变特性 | 第68-71页 |
| ·Cu/Nc-Pt/Dy_2O_3/Pt器件的电阻转变机制 | 第71-73页 |
| ·电极材料对Dy_2O_3薄膜电阻转变特性的影响 | 第73-80页 |
| ·M(M=Ni、Al)/Dy_2O_3Pt器件的制备与表征 | 第74-76页 |
| ·M(M=Ni、Al)/Dy_2O_3Pt器件的电阻转变特性 | 第76-78页 |
| ·Ni/Dy_2O_3Pt器件的电阻转变机制分析 | 第78-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 4 Ag/Dy_2O_3/Pt器件的电学表征与失效机制分析 | 第85-92页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·样品制备 | 第85-86页 |
| ·电学特性 | 第86-87页 |
| ·氧空位运动的微观表征 | 第87-89页 |
| ·单极性免电激活器件的失效机制分析 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 5 TiO_x/DyO_x层薄膜的RRAM的电阻转变特性研究 | 第92-100页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·样品制备与表征 | 第92-93页 |
| ·Pt/TiO_xDyO_x/Pt器件的电阻转变特性 | 第93-96页 |
| ·导电细丝的形貌与成分分析 | 第96-98页 |
| ·LRS样品的TEM分析 | 第96-97页 |
| ·HRS样品的TEM分析 | 第97-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-100页 |
| 6 Pt/La_2O_3/Pt结构的RRAM电阻转变特性研究 | 第100-113页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·样品制备与表征 | 第100-102页 |
| ·Pt/La_2O_3/Pt器件的电阻转变行为与机制分析 | 第102-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-113页 |
| 7 基于HfO_2薄膜的RRAM的电阻转变行为与机制分析 | 第113-121页 |
| ·引言 | 第113页 |
| ·Ta/HfO_2/NSTO器件 | 第113-115页 |
| ·Ta/HfO_2/NSTO器件制备与表征 | 第113-114页 |
| ·Ta/HfO_2/NSTO器件的电学特性 | 第114-115页 |
| ·Ta/HfO_2/CeO_2/NSTO器件制备与表征 | 第115-119页 |
| ·Ta/HfO_2/NSTO器件的电阻转变特性 | 第116-118页 |
| ·Ta/HfO_2/NSTO器件的电阻转变机制 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 8 Cu/Gd_2O_3/Pt柔性RRAM的制备及性能分析 | 第121-131页 |
| ·引言 | 第121页 |
| ·器件制备与表征 | 第121-122页 |
| ·Cu/Gd_2O_3/Pt器件的电阻转变特性 | 第122-123页 |
| ·Cu/Gd_2O_3/Pt的转变电阻转变机制 | 第123-126页 |
| ·Cu/Gd_2O_3/Pt器件的机械特性 | 第126-127页 |
| ·本章小结 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-131页 |
| 9 稀土氧化物在基于石墨烯电极的低功耗透明RRAM中的应用 | 第131-144页 |
| ·引言 | 第131页 |
| ·器件制备与表征 | 第131-135页 |
| ·Graphene的制备、转移与表征 | 第131-133页 |
| ·透明器件的制备与表征 | 第133-135页 |
| ·Graphene/Dy_2O_3/ITO的光学特性 | 第135页 |
| ·Graphene/Dy_2O_3/ITO的电学特性 | 第135-138页 |
| ·Graphene/Dy_2O_3/ITO的低功耗机制 | 第138-141页 |
| ·本章小结 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-144页 |
| 结论 | 第144-146页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 | 第146-148页 |
| 致谢 | 第148-149页 |
| 作者简介 | 第149页 |
