| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| ·前言 | 第10-14页 |
| ·太阳能电池的发展及产业现状 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池的原理 | 第11-12页 |
| ·太阳能电池的分类 | 第12-14页 |
| ·CIS 薄膜太阳能电池 | 第14-17页 |
| ·CIS 薄膜太阳能电池的国内外发展状况 | 第14-16页 |
| ·CIS 薄膜太阳能电池的结构 | 第16-17页 |
| ·CuInSe_2 薄膜材料的主要性能及其制备方法 | 第17-22页 |
| ·CuInSe_2 薄膜材料的基本性质 | 第17-19页 |
| ·CuInSe_2 薄膜材料的主要制备方法 | 第19-21页 |
| ·电沉积制备CuInSe_2 薄膜材料的发展 | 第21-22页 |
| ·本论文内容与意义 | 第22-23页 |
| 第2章 实验设计及表征方法 | 第23-34页 |
| ·实验设计 | 第23-25页 |
| ·主要实验材料 | 第23-24页 |
| ·主要实验仪器 | 第24页 |
| ·实验流程 | 第24-25页 |
| ·实验原理 | 第25-28页 |
| ·电沉积原理 | 第25-27页 |
| ·恒电位电沉积 | 第27-28页 |
| ·工艺参数对电沉积CIS 薄膜的影响 | 第28-30页 |
| ·溶液体系的选择 | 第28页 |
| ·电位的影响 | 第28-29页 |
| ·pH 值的影响 | 第29页 |
| ·温度的影响 | 第29-30页 |
| ·络合剂的影响 | 第30页 |
| ·测试表征仪器 | 第30-34页 |
| ·循环伏安测试系统(C-V) | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31-32页 |
| ·能量色散谱仪(EDS) | 第32页 |
| ·X-Ray 衍射仪(XRD) | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| 第3章 背电极Mo 薄膜的制备与表征 | 第34-40页 |
| ·背电极的选择 | 第34页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第34-35页 |
| ·溅射功率对Mo 薄膜微观结构的影响 | 第35-39页 |
| ·样品的制备 | 第35-36页 |
| ·溅射功率对Mo 薄膜沉积速率的影响 | 第36-37页 |
| ·溅射功率对Mo 薄膜三维形貌及粗糙度的影响 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 络合剂浓度对CIS 薄膜结构和成分的影响 | 第40-50页 |
| ·实验前期工作 | 第40-41页 |
| ·溶液配制 | 第40页 |
| ·电极的制备及预处理 | 第40-41页 |
| ·循环伏安测试 | 第41-45页 |
| ·单一元素的循环伏安测试 | 第41-44页 |
| ·三元共沉积的循环伏安测试 | 第44-45页 |
| ·不同络合剂浓度下制备CIS 薄膜 | 第45-49页 |
| ·电沉积溶液配方及工艺参数 | 第45页 |
| ·络合剂浓度对薄膜形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·络合剂浓度对薄膜晶相结构的影响 | 第47-48页 |
| ·络合剂浓度对薄膜成分的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 沉积电位对CIS 薄膜结构和成分的影响 | 第50-55页 |
| ·不同沉积电位下制备CIS 薄膜 | 第50-54页 |
| ·电沉积溶液配方及工艺参数 | 第50页 |
| ·沉积电位对薄膜形貌的影响 | 第50-52页 |
| ·沉积电位对薄膜晶相结构的影响 | 第52-53页 |
| ·沉积电位对薄膜成分的影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 退火时间对CIS 薄膜结构的影响 | 第55-59页 |
| ·硒化退火 | 第55-56页 |
| ·CIS 薄膜不同时间的硒化退火 | 第56-58页 |
| ·硒化退火对薄膜形貌的影响 | 第56-57页 |
| ·硒化退火对薄膜晶相的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第7章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第65页 |