| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-10页 |
| 插图清单 | 第10-12页 |
| 表格清单 | 第12-13页 |
| 第一章 引言 | 第13-28页 |
| ·半导体纳米技术的历史 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的分类: | 第14页 |
| ·纳米材料的性质 | 第14页 |
| ·一维纳米结构的合成 | 第14-17页 |
| ·一维纳米结构的液相合成方法 | 第15页 |
| ·气相法合成纳米材料 | 第15-16页 |
| ·模板法 | 第16-17页 |
| ·一维纳米材料的掺杂 | 第17-19页 |
| ·一维纳米的应用 | 第19-26页 |
| ·纳米场效应器件 | 第19-21页 |
| ·纳米传感器器件 | 第21-22页 |
| ·纳米光伏器件 | 第22-23页 |
| ·纳米光电探测器件 | 第23页 |
| ·纳米发光器件 | 第23-24页 |
| ·纳米存储器件 | 第24-25页 |
| ·纳米发电设备 | 第25-26页 |
| ·课题研究背景与内容 | 第26-28页 |
| 第二章 p 型 CdTe 纳米线的制备和表征 | 第28-40页 |
| ·制备所需要的药品和仪器设备 | 第28-32页 |
| ·制备所需的药品 | 第28页 |
| ·合成所需要的仪器设备 | 第28-32页 |
| ·p 型 CdTe 纳米线的制备 | 第32-33页 |
| ·p 型 CdTe 纳米结构的表征 | 第33-39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第33-35页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第35-36页 |
| ·透射电子显微镜 | 第36-37页 |
| ·电子能谱分析 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 基于 CdTe：Sb 纳米线的底栅场效应管的制备与研究 | 第40-47页 |
| ·纳米器件的制备工艺 | 第40-42页 |
| ·p 型 CdTe 纳米线的场效应器件制备 | 第42-43页 |
| ·p 型 CdTe 纳米线的场效应器件性能的研究 | 第43-45页 |
| ·掺杂浓度对电学信号的影响 | 第43-44页 |
| ·掺杂浓度对场效应的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于掺杂 CdTe 纳米结构肖特基器件的研究 | 第47-52页 |
| ·纳米肖特基二极管 | 第47页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的纳米肖特基器件 | 第47-50页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线肖特基器件的制备 | 第47-48页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线肖特基器件的表征 | 第48-50页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的柔性纳米肖特基器件 | 第50-51页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的柔性纳米肖特基器件的制备 | 第50页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的柔性纳米肖特基器件的表征 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 基于掺杂 CdTe 纳米结构存储器件的研究 | 第52-58页 |
| ·纳米存储结构 | 第52页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的纳米存储器件 | 第52-54页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线存储器件的制备 | 第52页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线存储器件的表征 | 第52-54页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的柔性纳米存储器件 | 第54-57页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的柔性纳米存储器件的制备 | 第54页 |
| ·基于 CdTe：Sb 纳米线的柔性纳米存储器件的表征 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 全文总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第65-67页 |
