摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
1 绪论 | 第8-15页 |
·课题背景、研究意义 | 第8-9页 |
·国内外研究现状 | 第9-10页 |
·研究内容、方法和文章组织结构 | 第10-14页 |
·本文创新点 | 第14-15页 |
2 CMUT 结构和电路设计 | 第15-24页 |
·CMUT 的设计基础 | 第15-17页 |
·CMUT 结构设计 | 第17-19页 |
·电路设计 | 第19-23页 |
·本章小结 | 第23-24页 |
3 静力作用下 CMUT 的性能分析 | 第24-33页 |
·静电场分析 | 第24-27页 |
·声场分析 | 第27-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
4 残余应力对 CMUT 性能的影响 | 第33-39页 |
·残余应力对塌陷电压和共振频率的影响 | 第34-35页 |
·残余应力对刚度系数和机电转化比的影响 | 第35-36页 |
·残余应力对灵敏度和带宽的影响 | 第36-37页 |
·残余应力对最大输出声压和最大输出电压的影响 | 第37-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
5 基于 FE-SAFE 的 CMUT 疲劳分析 | 第39-45页 |
·疲劳理论 | 第39-40页 |
·CMUT 结构疲劳分析 | 第40-43页 |
·不同表面参数对疲劳寿命的影响 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
6 空气阻尼作用下 CMUT 结构性能分析 | 第45-49页 |
·静态分析 | 第45-47页 |
·模态分析 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
7 版图设计和工艺加工测试 | 第49-56页 |
·CMOS MEMS 工艺和 POST-CMOS 工艺流程 | 第49-50页 |
·版图设计 | 第50-52页 |
·POST-CMOS 工艺加工 | 第52-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
8 总结和展望 | 第56-58页 |
·总结 | 第56-57页 |
·展望 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-64页 |
附录(攻读硕士学位期间参加的科研项目和发表的论文) | 第64页 |