| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-31页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·二氧化钛纳米管 | 第10-16页 |
| ·二氧化钛纳米管概述 | 第10-11页 |
| ·二氧化钛结构与物理特性 | 第11-12页 |
| ·二氧化钛纳米管的制备 | 第12-16页 |
| ·金属氧化物半导体光探测器 | 第16-20页 |
| ·金属氧化物半导体光探测器概述 | 第16页 |
| ·金属氧化物半导体光探测器分类 | 第16-19页 |
| ·TiO_2光探测器研究进展 | 第19-20页 |
| ·强磁场在材料科学中的应用进展 | 第20-23页 |
| ·强磁场对材料的作用原理 | 第20-21页 |
| ·强磁场在材料科学中的应用 | 第21-23页 |
| ·强磁场作用于纳米材料 | 第23页 |
| ·阻变存储器的研究进展及其物理机制 | 第23-29页 |
| ·阻变现象及阻变存储器概述 | 第23-25页 |
| ·阻变的材料体系与分类 | 第25-26页 |
| ·二元金属氧化物阻变的物理机制概述 | 第26-29页 |
| ·本论文的研究内容及其意义 | 第29-31页 |
| 第2章 实验方法 | 第31-37页 |
| ·材料及器件制备 | 第31-34页 |
| ·TiO_2纳米管阵列的制备 | 第31-32页 |
| ·双壁碳纳米管薄膜的制备 | 第32页 |
| ·Cu_2O 纳米颗粒薄膜的制备 | 第32页 |
| ·TiO_2纳米管阵列光探测器的制备 | 第32页 |
| ·TiO_2纳米管阵列强磁场退火 | 第32-33页 |
| ·TiO_2纳米管阵列阻变存储器的制备 | 第33-34页 |
| ·材料分析方法 | 第34-35页 |
| ·X 射线衍射 | 第34页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第34页 |
| ·透射电子显微镜 | 第34页 |
| ·俄歇电子能谱 | 第34-35页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第35页 |
| ·紫外-可见分光分析 | 第35页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第35页 |
| ·电学性能测试 | 第35-36页 |
| ·光电性能测试 | 第36页 |
| ·光致发光性能测试 | 第36页 |
| ·阻变性能测试 | 第36-37页 |
| 第3章 DWCNT film/TNA 异质结光探测器的制备与光电特性 | 第37-54页 |
| ·本章引言 | 第37-38页 |
| ·DWCNT film/TNA 异质结光探测器光响应特性 | 第38-47页 |
| ·样品设计与制备 | 第38-40页 |
| ·DWCNT 薄膜光透过率分析 | 第40-41页 |
| ·I-V 曲线分析 | 第41-43页 |
| ·光响应特性 | 第43-46页 |
| ·机理解释 | 第46-47页 |
| ·TiO_2纳米管长度对器件光响应特性的影响 | 第47-52页 |
| ·样品设计与制备 | 第47-49页 |
| ·I-V 曲线分析 | 第49页 |
| ·光响应特性 | 第49-52页 |
| ·机理解释 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 DWCNT film/Cu_2O NP film/TNA 异质结光探测器的制备与光电特性 | 第54-65页 |
| ·本章引言 | 第54页 |
| ·样品制备及表征 | 第54-60页 |
| ·DWCNT film/Cu_2O NP film/TNA 异质结的制备 | 第54-55页 |
| ·SEM 观察结果 | 第55-56页 |
| ·Raman 光谱分析结果 | 第56-57页 |
| ·X 射线衍射实验 | 第57-58页 |
| ·X 射线光电子能谱分析 | 第58-60页 |
| ·DWCNT film/Cu_2O NP film/TNA 异质结光吸收谱分析 | 第60页 |
| ·DWCNT film/Cu_2O NP film/TNA 异质结光响应特性 | 第60-62页 |
| ·I-V 曲线分析 | 第60-61页 |
| ·光响应特性 | 第61-62页 |
| ·DWCNT film/Cu_2O NP film/TNA 异质结光探测器光响应机理分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 强磁场退火对 TiO_2纳米管阵列光致发光性能的影响 | 第65-77页 |
| ·本章引言 | 第65页 |
| ·样品制备及表征 | 第65-67页 |
| ·阳极氧化法制备 TiO_2纳米管阵列 | 第65-66页 |
| ·TiO_2纳米管阵列强磁场退火 | 第66页 |
| ·SEM 观察结果 | 第66页 |
| ·X 射线衍射实验 | 第66-67页 |
| ·磁场条件对 TiO_2纳米管阵列的影响 | 第67-75页 |
| ·磁场条件对晶体结构的影响 | 第67-70页 |
| ·磁场条件对光致发光性能的影响 | 第70-75页 |
| ·强磁场调控二氧化钛纳米管光致发光性能的机理解释 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第6章 基于 TiO_2纳米管阵列的阻变存储器及其机理 | 第77-89页 |
| ·本章引言 | 第77页 |
| ·样品制备及表征 | 第77-80页 |
| ·基于 TiO_2纳米管阵列的阻变存储器的制备 | 第77-78页 |
| ·SEM 观察结果 | 第78-79页 |
| ·X 射线衍射实验 | 第79-80页 |
| ·TEM 分析结果 | 第80页 |
| ·基于 TiO_2纳米管阵列的阻变存储器的阻变特性 | 第80-82页 |
| ·锐钛矿结构 TiO_2纳米管阵列双极阻变现象 | 第80-82页 |
| ·非晶态结构 TiO_2纳米管阵列双极阻变现象 | 第82页 |
| ·基于 TiO_2纳米管阵列的阻变存储器阻变效应的机理解释 | 第82-87页 |
| ·电极材料对阻变特性的影响 | 第83-84页 |
| ·低阻态的温度特性 | 第84-85页 |
| ·基于 TiO_2纳米管阵列的阻变存储器的阻变机理 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第7章 结论 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第108-109页 |
