HfO2高介电常数栅介质薄膜的制备及其电学性能的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·背景 | 第10-11页 |
| ·二氧化硅按比例缩小的限制 | 第11-12页 |
| ·高介电常数栅介质材料 | 第12-16页 |
| ·介电常数与禁带宽度 | 第14-15页 |
| ·与Si接触的热稳定性 | 第15页 |
| ·与Si的界面质量 | 第15-16页 |
| ·薄膜型态 | 第16页 |
| ·与栅电极的兼容性 | 第16页 |
| ·HfO_2基高K材料的研究现状 | 第16-19页 |
| 第2章 实验及相关物理原理 | 第19-28页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第19页 |
| ·HfO_2薄膜的表征方法 | 第19-20页 |
| ·MOS电容结构C-V测试原理 | 第20-24页 |
| ·栅介质层漏电流传导机制 | 第24-28页 |
| 第3章 退火对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第28-47页 |
| ·HfO_2薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·长时间退火对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第29-34页 |
| ·薄膜物相结构的表征(XRD) | 第29-30页 |
| ·Pt/HfO_2/Si MOS电容器电学特性 | 第30-31页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第30-31页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第31页 |
| ·TiN/HfO_2/Si MOS电容器电学特性 | 第31-33页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第31-33页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| ·快速退火对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第34-38页 |
| ·薄膜物相结构的表征(XRD) | 第34页 |
| ·Pt/HfO_2/Si MOS电容器电学特性 | 第34-36页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第34-35页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第35-36页 |
| ·TiN/HfO_2/Si MOS电容器电学特性 | 第36-38页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第36-37页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38页 |
| ·长时间退火与快速退火两种热处理方式的比较 | 第38-47页 |
| ·薄膜物相结构的表征(XRD) | 第38-39页 |
| ·薄膜的截面形貌表征(TEM) | 第39-40页 |
| ·薄膜的表面形貌表征(AFM) | 第40页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第40-45页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第41-42页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第42-43页 |
| ·漏电流机制分析 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第4章 溅射气氛对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第47-55页 |
| ·不同氮氩比对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第47-52页 |
| ·固定工作气压 | 第47-50页 |
| ·样品的制备 | 第47页 |
| ·薄膜物相结构的表征(XRD) | 第47-48页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第48-49页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第49-50页 |
| ·改变氮气比份 | 第50-52页 |
| ·样品的制备 | 第50页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第50-51页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第51-52页 |
| ·不同氧氩比对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·样品的制备 | 第52页 |
| ·薄膜的C-V特性 | 第52-53页 |
| ·薄膜的J-V特性 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
