| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·研究背景与意义 | 第11-17页 |
| ·微电子器件和集成电路可靠性的发展 | 第11-14页 |
| ·NBTI效应成为ULSI的主要可靠性问题之一 | 第14-16页 |
| ·超深亚微米PMOSFET中NBTI效应的研究意义 | 第16-17页 |
| ·目前国内外相关研究现状与进展 | 第17-22页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第22-25页 |
| 第二章 NBTI测试芯片的设计 | 第25-33页 |
| ·版图设计概述及软件工具介绍 | 第25-27页 |
| ·流片及封装工艺介绍 | 第27页 |
| ·实际版图设计 | 第27-28页 |
| ·版图验证和后仿真 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 NBTI试验 | 第33-41页 |
| ·NBTI试验设计 | 第33-37页 |
| ·NBTI试验讨论 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 NBTI失效模式和失效机理研究 | 第41-59页 |
| ·NBTI失效模式研究 | 第41-55页 |
| ·NBTI效应对PMOSFET器件特性及参数的影响 | 第41-44页 |
| ·PMOSFET器件参数随NBTI应力时间的漂移 | 第44-50页 |
| ·NBT应力和PMOSFET器件参数对阈值电压漂移量△V_(th)的影响 | 第50-55页 |
| ·NBTI失效机理研究 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 NBTI寿命评价 | 第59-67页 |
| ·PMOSFET由NBTI效应限制的器件寿命评价 | 第59-66页 |
| ·应力时间t与阈值电压漂移量△V_(th)的关系 | 第60页 |
| ·应力温度T与阈值电压漂移量△V_(th)的关系 | 第60-61页 |
| ·栅极电压V_(gs)与阈值电压漂移量△V_(th)的关系 | 第61-62页 |
| ·沟道宽度W与阈值电压漂移量△V_(th)的关系 | 第62-63页 |
| ·沟道长度L与阈值电压漂移量△V_(th)的关系 | 第63-64页 |
| ·NBTI寿命评价表达式 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 NBTI和HCl混合效应研究 | 第67-73页 |
| ·NBTI+HCl混合效应对PMOSFET退化的影响 | 第67-69页 |
| ·NBTI+HCl混合效应分解 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
