| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-11页 |
| ·国内外综述 | 第11-20页 |
| ·二极管 | 第11-16页 |
| ·共振遂穿现象 | 第16-17页 |
| ·共振遂穿二极管（Resonant tunneling diod（RTD）） | 第17-20页 |
| ·课题研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 单势垒超晶格量子阱结构 | 第21-29页 |
| ·超晶格量子阱的能带结构分析 | 第21-25页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及 InGaAs/InAlAs | 第25-26页 |
| ·用 MBE 生长技术制备 InGaAs/InAlAs 势垒材料 | 第26-29页 |
| 第三章 可变电抗二极管 | 第29-43页 |
| ·异质结构势垒可变电抗二极管（HBV）） | 第29-30页 |
| ·粒子入射到对称势场 | 第30-37页 |
| ·势垒贯穿相关内容的介绍 | 第30-34页 |
| ·粒子入射到方形势垒的反射系数和透射系数 | 第34-37页 |
| ·单势垒量子阱可变电抗二极管中电子波的传输和能带结构 | 第37-43页 |
| ·半导体材料的费米能级 | 第37-38页 |
| ·电子波的传输和能带分布 | 第38-43页 |
| 第四章 传导电流减小的方法 | 第43-49页 |
| ·传导电流和位移电流 | 第43-44页 |
| ·传导电流减小的方法 | 第44-49页 |
| ·传导电流公式中的透射系数和反射系数公式的理论推导 | 第44-46页 |
| ·减小传导电流的方法 | 第46-49页 |
| 第五章 单势垒量子阱电容电抗器的电容-电压关系的力学特性 | 第49-60页 |
| ·单势垒量子阱电容电抗器的电容公式的推导 | 第49-54页 |
| ·小的外加偏压下电容公式的推导 | 第49-52页 |
| ·大的外加偏压下电容公式的推导 | 第52-54页 |
| ·单势垒量子阱电容电抗器的电容与电压的关系 | 第54-60页 |
| ·半导体压阻效应与介观压阻效应 | 第54-56页 |
| ·加一定应变时势垒宽度对电容的影响 | 第56-57页 |
| ·电压一定时电容随应变的变化情况 | 第57-59页 |
| ·加一定的应变后压容系数的计算及灵敏度和调制比的变化 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| ·全文总结 | 第60页 |
| ·进一步展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
