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β-FeSi2半导体薄膜的制备及性能的研究

摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-16页
   ·β-FeSi_2的晶体结构和基本性质第10-13页
   ·β-FeSi_2薄膜的制备方法第13页
   ·国内外研究现状第13-14页
   ·选题依据和本论文的内容安排第14-16页
第二章 薄膜理论模型及实验装置第16-22页
   ·薄膜生长动力学第16-17页
   ·脉冲激光沉积技术原理第17-19页
   ·薄膜的性能表征第19-22页
第三章 不同靶材制备下的β-FeSi_2薄膜的性质比较第22-32页
   ·在硅衬底上生长β-FeSi_2薄膜的步骤第22-23页
   ·β-FeSi_2薄膜性质的分析第23-31页
   ·小结第31-32页
第四章 β-FeSi_2薄膜在不同的生长温度下的生长规律第32-38页
   ·在硅衬底上生长β-FeSi_2薄膜的实验步骤第32页
   ·实验结果及分析第32-36页
   ·小结第36-38页
第五章 不同的激光能量密度对β-FeSi_2薄膜的影响第38-46页
   ·生长β-FeSi_2薄膜的步骤第38页
   ·β-FeSi_2薄膜性质的分析第38-43页
   ·小结第43-46页
第六章 Si 的不同取向对β-FeSi_2薄膜的影响第46-52页
   ·生长β-FeSi_2薄膜的步骤第46页
   ·β-FeSi_2薄膜性质的分析第46-50页
   ·小结第50-52页
第七章 总结第52-54页
   ·本论文的主要研究成果第52-53页
   ·对今后研究工作的建议第53-54页
参考文献第54-64页
攻读硕士学位期间发表的论文目录第64-66页
致谢第66页

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