基于蒙特卡罗方法的晶粒生长模拟系统研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-21页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第8-9页 |
| ·伪随机数 | 第9-11页 |
| ·随机数 | 第9-10页 |
| ·伪随机数 | 第10页 |
| ·非均匀分布随机数产生方法 | 第10-11页 |
| ·MC方法在材料领域的应用 | 第11-20页 |
| ·1/2自旋伊辛模型 | 第12页 |
| ·波茨模型 | 第12-14页 |
| ·栅格及其对称性的影响 | 第14页 |
| ·经典的MC模拟晶粒生长的模型 | 第14-15页 |
| ·MC模拟晶粒生长的算法研究 | 第15-17页 |
| ·MC模拟晶粒生长的应用研究 | 第17-20页 |
| ·选题的意义及研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 模型与算法 | 第21-34页 |
| ·晶粒生长的跃迁概率 | 第21-23页 |
| ·改进跃迁概率 | 第23页 |
| ·改进模拟算法 | 第23-26页 |
| ·能量计算 | 第26页 |
| ·材料微观结构的可视化建模—格子模型 | 第26-34页 |
| ·格子模型基础 | 第26-28页 |
| ·密堆积 | 第28-29页 |
| ·三角点阵模型 | 第29-31页 |
| ·六角密堆积模型 | 第31-34页 |
| 第三章 模拟系统 | 第34-45页 |
| ·开发语言、平台及技术 | 第34-35页 |
| ·系统框架 | 第35-37页 |
| ·系统类 | 第37-42页 |
| ·系统核心类 | 第37-41页 |
| ·系统框架类 | 第41-42页 |
| ·晶粒生长模拟系统 | 第42-45页 |
| 第四章 系统仿真 | 第45-53页 |
| ·系统参数对模拟晶粒形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·模拟时间对晶粒尺寸的影响 | 第47-49页 |
| ·焙烧温度对晶粒尺寸的影响 | 第49页 |
| ·纳米 TiO_2晶粒生长模拟与试验 | 第49-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 附录 1 | 第58-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |
