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非晶碳及非晶碳化硅薄膜的制备及光学性能研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-29页
   ·太阳能及太阳能薄膜电池第11-15页
     ·太阳能及其特点第11-12页
     ·太阳能薄膜电池的分类及发展第12-13页
     ·非晶硅薄膜太阳能电池及其特点第13-15页
   ·氢化非晶碳(a-C:H)薄膜第15-21页
     ·历史及现状第15-17页
     ·结构与特点第17-18页
     ·制备方法简介第18-19页
     ·应用情况第19-21页
   ·氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜第21-27页
     ·历史及现状第21-22页
     ·结构与特点第22-24页
     ·制备方法简介第24页
     ·应用情况第24-27页
   ·本文的主要工作第27-29页
     ·选题意义第27页
     ·研究内容第27-28页
     ·技术路线第28-29页
第二章 薄膜制备及测试方法第29-37页
   ·RF-PECVD 设备结构及操作步骤第29-30页
   ·薄膜制备材料及基片准备第30-31页
   ·薄膜性能表征方法第31-37页
     ·椭圆偏振(Ellipsometry)第31-33页
     ·X 射线衍射(XRD)第33-34页
     ·激光拉曼光谱(Raman)第34-35页
     ·傅立叶变换红外光谱(FTIR)第35-36页
     ·紫外-可见光谱(UV-Vis)第36-37页
第三章 a-C:H 薄膜的制备及性能研究第37-50页
   ·引言第37页
   ·薄膜的制备第37-38页
   ·H_2/CH_4流量比对a-C:H 薄膜的影响第38-45页
     ·薄膜沉积速率研究第38-39页
     ·XRD 分析第39-40页
     ·Raman 光谱分析第40-43页
     ·薄膜光学带隙研究第43-45页
   ·射频功率对a-C:H 薄膜的影响第45-49页
     ·薄膜沉积速率研究第45-46页
     ·Raman 光谱分析第46-47页
     ·薄膜光学带隙研究第47-49页
   ·本章小结第49-50页
第四章 a-SiC:H 薄膜的制备及性能研究第50-62页
   ·引言第50页
   ·薄膜的制备第50-51页
   ·CH_4/SiH_4 流量比对a-SiC:H 薄膜的影响第51-58页
     ·薄膜沉积速率研究第51-52页
     ·XRD 分析第52-53页
     ·Raman 光谱分析第53-55页
     ·FTIR 光谱分析第55-56页
     ·薄膜光学带隙研究第56-58页
   ·射频功率对a-SiC:H 薄膜的影响第58-61页
     ·薄膜沉积速率研究第58-59页
     ·薄膜光学带隙研究第59-61页
   ·本章小结第61-62页
第五章 结论与展望第62-64页
   ·工作总结第62-63页
   ·展望第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-70页
攻读硕士学位期间研究成果第70-71页

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