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微波BJT/FET器件噪声特性测量的研究

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 前言第11-16页
   ·研究的目的和意义第11-12页
   ·BJT/FET器件噪声测量的发展现状及本论文的创新点第12-14页
   ·本论文的组织安排第14-16页
第二章 二端口噪声网络理论及BJT/FET器件噪声测量方法简介第16-38页
   ·噪声理论基础第16-19页
     ·关于噪声的基本概念第16-18页
     ·噪声的数字模拟第18-19页
   ·二端口器件噪声系数第19-23页
   ·半导体器件内部噪声源第23-25页
   ·二端口器件的本征噪声特性的度量第25-27页
   ·二端口噪声网络理论第27-31页
   ·传统二端口网络噪声测量方法第31-33页
   ·微波BJT/FET器件噪声测量过程及测量配置的描述第33-37页
 本章小结第37-38页
第三章 微波二端口器件S参数的测量第38-54页
   ·散射S参数的全面测量第38-43页
   ·测量夹具的校准第43-48页
   ·散射S参数的误差修正第48-52页
 本章小结第52-54页
第四章 微波BJT三极管噪声测量第54-82页
   ·结构简述第54-55页
   ·微波BJT器件的噪声特性分析第55-58页
   ·微波BJT/HBT器件小信号等效电路的确定第58-66页
     ·外部元件的确定第59-63页
     ·本征元件的确定第63-66页
   ·BJT器件噪声参数的直接提取第66-69页
   ·BJT/HBT器件噪声参数的精确测量第69-73页
   ·噪声系数NF_(50)的校准第73-74页
   ·测量误差分析第74-78页
   ·测量试验及计算第78-81页
 本章小结第81-82页
第五章 场效应晶体管(FET)器件噪声测量第82-117页
   ·FET器件结构特点与分类第82-84页
   ·FET/HEMT器件的噪声模型第84-88页
   ·FET/HEMT器件的小信号等效电路的确定第88-95页
     ·三个欧姆电阻的确定第88-90页
     ·寄生电容和电感的确定第90-92页
     ·寄生元件的剔除和本征元件的确定第92-95页
   ·FET/pHEMT器件噪声温度参数的测量第95-101页
     ·单参数噪声温度的测量第95-98页
     ·两参数噪声温度的测量第98-101页
   ·用相关矩阵法进行噪声参数的全面测量第101-104页
   ·温度——相关矩阵法测量噪声参数第104-107页
   ·测量误差分析第107-110页
   ·关于温度——相关矩阵法的几点讨论第110-112页
   ·FET/pHEMT器件噪声参数的测量实验与计算结果第112-116页
 本章小结第116-117页
第六章 总结及结论第117-119页
附录(实验测试记录)第119-126页
参考文献第126-132页
致谢第132-133页
本文作者在攻读博士学位期间科研及发表论文情况第133页

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