| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-10页 |
| 参考文献 | 第9-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-25页 |
| §2．1 GMI效应的理论研究 | 第10-14页 |
| §2．1．1 趋肤效应法 | 第10-11页 |
| §2．1．2 等效电路法 | 第11-13页 |
| §2．1．3 GMI的来源 | 第13-14页 |
| §2．2 GMI效应的实验研究 | 第14-21页 |
| §2．2．1 GMI效应和磁各向异性的关系 | 第14-16页 |
| §2．2．2 GMI效应和驱动电流频率的关系 | 第16-17页 |
| §2．2．3 GMI效应和样品的电导率及厚度的关系 | 第17-18页 |
| §2．2．4 单层膜的GMI效应研究 | 第18-20页 |
| §2．2．5 样品的制备和处理工艺 | 第20-21页 |
| §2．3 GMI效应的应用研究 | 第21-25页 |
| §2．3．1 GMI微型传感头组件 | 第21-22页 |
| §2．3．2 位移传感器 | 第22-23页 |
| §2．3．3 快速响应大电流传感器 | 第23-24页 |
| §2．3．4 高频磁阻抗薄膜传感器 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25页 |
| 第三章 薄膜样品的制备及测试方法 | 第25-33页 |
| §3．1 薄膜样品的制备 | 第26-29页 |
| §3．1．1 真空蒸镀法 | 第26-27页 |
| §3．1．2 磁控溅射法 | 第27-28页 |
| §3．1．3 射频溅射法 | 第28-29页 |
| §3．2 样品的结构表征和物性测量 | 第29-32页 |
| §3．2．1 振荡样品磁强计（VSM）磁性测量 | 第29-30页 |
| §3．2．2 X射线衍射（XRD）结构测量 | 第30页 |
| §3．2．3 X射线光电子能谱仪（XPS）渗透测量 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 实验设计与过程 | 第33-41页 |
| §4．1 溅射系统 | 第33页 |
| §4．2 靶材 | 第33页 |
| §4．3 基片和模具 | 第33-35页 |
| §4．4 选择溅射工艺参数 | 第35-36页 |
| §4．5 热处理设备 | 第36页 |
| §4．6 膜厚测量 | 第36-38页 |
| §4．7 膜的磁性测量 | 第38页 |
| §4．8 Cu的渗透研究 | 第38-39页 |
| §4．9 巨磁阻抗的测量 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第五章 实验结果与分析 | 第41-52页 |
| §5．1 磁性研究 | 第41-45页 |
| §5．1．1 Ta对NiFeSiMoMn膜磁性的影响 | 第41-42页 |
| §5．1．2 溅射场对NiFeSiMoMn膜磁性的影响 | 第42页 |
| §5．1．3 NiFeSiMoMn膜的磁性随厚度的变化 | 第42-45页 |
| §5．1．4 退火对NiFeSiMoMn膜磁性的影响 | 第45页 |
| §5．2 Cu的扩散研究 | 第45-48页 |
| §5．2．1 Cu的扩散测量 | 第45-47页 |
| §5．2．2 Cu的扩散对样品磁性的影响 | 第47-48页 |
| §5．3 三明治膜的GMI效应研究 | 第48-49页 |
| §5．4 小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
