| 1 引言 | 第1-12页 |
| 2 理论及原理 | 第12-14页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第12-13页 |
| ·真空电子束加热蒸发镀膜 | 第13-14页 |
| 3 实验设备及过程 | 第14-18页 |
| ·X射线光电子能谱仪 | 第14-16页 |
| ·实验 | 第16-18页 |
| ·样品的准备 | 第16页 |
| ·MOS电容的制备 | 第16-17页 |
| ·High-k物质上的Si薄膜沉积 | 第17页 |
| ·样品的真空加热 | 第17-18页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第18-44页 |
| ·MOS电容的C-V电特性 | 第18页 |
| ·X射线反射率测定 | 第18-20页 |
| ·Al_2O_3-HfO_2及HfAlO样品RTA前后XPS谱图比较 | 第20-22页 |
| ·样品随温度变化的热稳定性 | 第22-33页 |
| ·样品上沉积Si膜后热稳定性的考察 | 第33-40页 |
| ·High-k物质的表面形貌 | 第40-44页 |
| 5 结论 | 第44-49页 |