| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 引论 | 第8-10页 |
| 第二章 势能面理论与光物理化学过程 | 第10-18页 |
| 2．1 引言 | 第10-11页 |
| 2．2 势能面及其特征 | 第11-13页 |
| 2．3 势垒高度与活化能 | 第13页 |
| 2．4 跃迁几率与振子强度 | 第13-15页 |
| 2．5 偶极跃迁 | 第15-16页 |
| 2．6 两种跃迁：n→π~*，π→π~* | 第16页 |
| 2．7 谱线增宽 | 第16-18页 |
| 第三章 溶剂化效应 | 第18-33页 |
| 3．1 引言 | 第18-19页 |
| 3．2溶剂化效应的经典处理方法 | 第19-24页 |
| 3．2．1 静电场模型的描述 | 第19-20页 |
| 3．2．2 泊松方程的求解 | 第20-24页 |
| 3．3 自洽反应场模型 | 第24-28页 |
| 3．4 非连续介质模型和电动力学模型 | 第28-33页 |
| 3．4．1 非连续介质模型 | 第28-31页 |
| 3．4．2 电动力学模型 | 第31-33页 |
| 第四章 光控开关分子 | 第33-50页 |
| 4．1 N_2H_2基态和激发态三维势能面特征 | 第33-38页 |
| 4．2 N_2（OH）_2三维势能面特征及溶剂化效应 | 第38-41页 |
| 4．3 高维势能面计算步长选择及误差分析 | 第41-43页 |
| 4．4 偶氮苯势能面特征 | 第43-46页 |
| 4．5 取代基效应与势垒及激发波长的关系 | 第46-50页 |
| 第五章 势能面数据处理与分析示例 | 第50-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57页 |