| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| ·研究背景及现状 | 第8-10页 |
| ·微晶硅高速沉积技术及现状 | 第10-12页 |
| ·本论文实验计划和目标 | 第12-14页 |
| 第二章 等离子增强化学气相沉积技术基础 | 第14-31页 |
| ·等离子体概论 | 第14-15页 |
| ·等离子体的基本概念和性质 | 第14-15页 |
| ·等离子体的鞘层 | 第15页 |
| ·等离子体化学沉积微晶硅技术 | 第15-24页 |
| ·等离子体内的化学反应及表面成膜反应 | 第15-18页 |
| ·微晶硅生长模型 | 第18-21页 |
| ·等离子体增强化学沉积(PECVD)方法介绍 | 第21-24页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积技术设备介绍 | 第24-31页 |
| 第三章 μc-si:H薄膜VHF-PECVD高速沉积及性能表征 | 第31-48页 |
| ·实验设备及表征方法 | 第31-35页 |
| ·本实验室沉积设备 | 第31页 |
| ·薄膜厚度和沉积速率的测量 | 第31-33页 |
| ·微观结构表征 | 第33-35页 |
| ·电学性能测量 | 第35页 |
| ·高速沉积实验结果与讨论 | 第35-46页 |
| ·功率密度对沉积速率和微观结构的影响 | 第36-39页 |
| ·沉积压强对沉积速率和微观结构的影响 | 第39-41页 |
| ·硅烷浓度对沉积速率和微观结构的影响 | 第41-43页 |
| ·气体总流量对沉积速率和微观结构的影响 | 第43-46页 |
| ·沉积参数对沉积速率影响的进一步分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 μc-siH薄膜的电学特性研究 | 第48-56页 |
| ·薄膜电学特性概述 | 第48-49页 |
| ·沉积参数对薄膜电学特性的影响 | 第49-51页 |
| ·功率密度对薄膜电学特性的影响 | 第49页 |
| ·硅烷浓度和气体总流量对薄膜电学特性的影响 | 第49-51页 |
| ·对薄膜激活能的进一步分析 | 第51-53页 |
| ·薄膜电导率行为的分析 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 μc-si:H薄膜的双因素优化相图 | 第56-62页 |
| ·高压条件下微晶硅生长机制 | 第56页 |
| ·功率密度—沉积压强双因素优化 | 第56-58页 |
| ·硅烷浓度—气体总流双因素优化 | 第58-59页 |
| ·分步沉积法对纵向结构的影响 | 第59-60页 |
| ·总结 | 第60-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-65页 |
| ·本论文工作的主要结论 | 第62-63页 |
| ·有待进一步开展的工作 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 硕士期间发表论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |