| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·国外对SCB火工品防静电防射频发展现状 | 第8-10页 |
| ·国内对SCB火工品防静电防射频发展现状 | 第10页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第10-12页 |
| 2 静电、射频形成与作用机理分析 | 第12-15页 |
| ·静电放电的形成及干扰机理 | 第12-13页 |
| ·静电放电的形成 | 第12页 |
| ·静电放电的干扰机理 | 第12页 |
| ·半导体器件静电放电损伤机理 | 第12-13页 |
| ·射频形成及干扰机理 | 第13-15页 |
| ·射频环境的形成 | 第13页 |
| ·射频耦合的干扰机理 | 第13-14页 |
| ·电火工品射频静电损伤机理 | 第14-15页 |
| 3 半导体桥静电防护设计 | 第15-24页 |
| ·电火工品常用静电防护技术 | 第15-16页 |
| ·“堵”防静电方式 | 第15页 |
| ·“泄放”防静电方式 | 第15-16页 |
| ·“堵泄结合”防静电方式 | 第16页 |
| ·电子设备常用静电防护技术 | 第16-19页 |
| ·气体放电管 | 第16-17页 |
| ·压敏电阻 | 第17页 |
| ·瞬态抑制二极管 | 第17-18页 |
| ·稳压管 | 第18-19页 |
| ·半导体桥火工品静电防护设计 | 第19-24页 |
| ·半导体放电管 | 第19-21页 |
| ·半导体放电管制作 | 第21-22页 |
| ·半导体放电管静态实验结果与讨论 | 第22-24页 |
| 4 半导体桥射频防护设计 | 第24-28页 |
| ·电火工品常用射频防护技术 | 第24页 |
| ·屏蔽 | 第24页 |
| ·低通滤波器 | 第24页 |
| ·半导体桥火工品射频防护设计 | 第24-28页 |
| ·热敏电阻 | 第25-27页 |
| ·片式磁珠 | 第27-28页 |
| 5 半导体桥火工品防静电研究 | 第28-31页 |
| ·半导体桥火工品的制备 | 第28页 |
| ·静电放电实验原理 | 第28-29页 |
| ·静电实验结果与讨论 | 第29-31页 |
| 6 半导体桥火工品防射频研究 | 第31-41页 |
| ·1A1W5min实验 | 第31-33页 |
| ·防射频环境实验 | 第33-36页 |
| ·GTEM小室实验 | 第33-35页 |
| ·GTEM小室实验结果与讨论 | 第35-36页 |
| ·射频注入实验 | 第36-41页 |
| ·射频注入实验原理 | 第36-37页 |
| ·实验结果及讨论与讨论 | 第37-41页 |
| 7 静电、射频对 SCB火工品性能影响研究 | 第41-59页 |
| ·电容放电条件下静电、射频对SCB火工品性能影响 | 第41-52页 |
| ·电容放电实验方法 | 第41-42页 |
| ·SCB火工品电压感度升降法实验 | 第42-45页 |
| ·静电、射频实验对SCB火工品性能影响研究 | 第45-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| ·恒流源激励条件下静电、射频对 SCB火工品性能影响 | 第52-59页 |
| ·恒流源激励实验方法 | 第52页 |
| ·SCB火工品电流感度升降法实验 | 第52-53页 |
| ·静电、射频实验对SCB火工品性能影响研究 | 第53-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 8 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |