| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-10页 |
| §1.1 课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| §1.2 本论文的结构安排 | 第9-10页 |
| 第二章 实验 | 第10-20页 |
| §2.1 原子力显微镜 | 第10-13页 |
| §2.2 导电原子力显微镜 | 第13-16页 |
| §2.2.1 CAFM原理及应用 | 第13-14页 |
| §2.2.2 CAFM测量中压力的影响 | 第14-15页 |
| §2.2.3 CAFM测量中电压的影响 | 第15-16页 |
| §2.3 静电力显微镜 | 第16-18页 |
| §2.3.1 EFM原理与应用 | 第16-17页 |
| §2.3.2 EFM测量中抬高高度的影响 | 第17-18页 |
| §2.4 扫描电容显微镜 | 第18-20页 |
| 第三章 单个锗硅量子点到量子环转变各阶段的电学性质 | 第20-28页 |
| §3.1 引言 | 第20页 |
| §3.2 实验 | 第20-21页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第21-27页 |
| §3.3.1 Si覆盖层厚度对形貌的影响 | 第21-22页 |
| §3.3.2 球冠形量子点的导电分布以及组分分布 | 第22-24页 |
| §3.3.3 金字塔形量子点的导电分布以及组分分布 | 第24-25页 |
| §3.3.4 量子环的导电分布以及组分分布 | 第25-27页 |
| §3.4 小结 | 第27-28页 |
| 第四章 GeSi量子环的导电分布机理研究 | 第28-37页 |
| §4.1 引言 | 第28页 |
| §4.2 实验 | 第28页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第28-36页 |
| §4.3.1 量子环的组分分布 | 第28-30页 |
| §4.3.2 不同组分GeSi量子环的导电分布 | 第30-33页 |
| §4.3.3 不同组分GeSi量子环的荷电性质 | 第33-34页 |
| §4.3.4 不同组分GeSi量子环的载流子浓度分布 | 第34-36页 |
| §4.4 小结 | 第36-37页 |
| 第五章 针尖压力对量子环导电性质的影响 | 第37-41页 |
| §5.1 引言 | 第37页 |
| §5.2 实验 | 第37页 |
| §5.3 结果 | 第37-40页 |
| §5.3.1 量子环在不同压力下的电流分布以及I-V结果 | 第37-39页 |
| §5.3.2 量子点在不同压力下的电流分布 | 第39-40页 |
| §5.4 讨论与小结 | 第40-41页 |
| 第六章 总结与展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 发表文章 | 第45页 |
| 参加会议 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
