| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-19页 |
| ·ZnO的基本特性 | 第11-12页 |
| ·纳米材料介绍 | 第12-14页 |
| ·表面与界面效应 | 第12-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第13页 |
| ·小尺寸效应 | 第13-14页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| ·介电限域效应 | 第14页 |
| ·ZnO纳米材料的研究现状 | 第14-17页 |
| ·ZnO纳米结构的制备 | 第15页 |
| ·ZnO光学性质的研究 | 第15-16页 |
| ·高质量n型ZnO的研究 | 第16页 |
| ·p型ZnO材料的研究 | 第16-17页 |
| ·存在的问题 | 第17-18页 |
| ·本论文的主要工作 | 第18-19页 |
| 2 ZnO纳米棒的制备 | 第19-26页 |
| ·水热法制备高度取向性的ZnO纳米棒阵列 | 第19-22页 |
| ·ZnO纳米晶薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·ZnO纳米棒的制备 | 第20-21页 |
| ·ZnO纳米棒的生长机理 | 第21-22页 |
| ·ZnO纳米棒的表征 | 第22-25页 |
| ·样品形貌的SEM表征 | 第22-24页 |
| ·样品的XRD表征 | 第24页 |
| ·ZnO纳米棒的光致发光光谱的研究 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 器件的制备与测试过程中所需仪器和设备 | 第26-27页 |
| 4 提高ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结近紫外电致发光性能的研究 | 第27-34页 |
| ·ZnO纳米棒的生长时间对器件的电致发光性能的影响的研究 | 第30-31页 |
| ·有机层厚度对器件近紫外电致发光性能的影响 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 5 利用空穴缓冲层改善ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结近紫外电致发光性能的研究 | 第34-45页 |
| ·MoO_3空穴缓冲层对ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结近紫外电致发光性能的影响 | 第34-36页 |
| ·器件的制备 | 第34-35页 |
| ·实验结果分析 | 第35-36页 |
| ·ZnS缓冲层对ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结近紫外电致发光性能的影响 | 第36-44页 |
| ·器件的制备 | 第37-39页 |
| ·实验结果分析 | 第39-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 6 结论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 作者简历 | 第51-53页 |
| 学位论文数据集 | 第53页 |
