摘要 | 第1-9页 |
ABSTRACT | 第9-23页 |
第一章 绪论 | 第23-55页 |
·课题背景 | 第23-25页 |
·纳米复合电介质材料的发展 | 第25-33页 |
·纳米技术与纳米材料 | 第25-26页 |
·纳米电介质 | 第26-28页 |
·电介质及其性能表征 | 第28-33页 |
·耐电晕聚酰亚胺/无机纳米复合材料 | 第33-37页 |
·聚酰亚胺的发展状况 | 第33页 |
·纳米复合技术 | 第33-34页 |
·高分子基纳米复合材料的制备工艺 | 第34-35页 |
·耐电晕材料的制备与机理 | 第35-37页 |
·聚合物电介质材料中空间电荷的研究 | 第37-40页 |
·空间电荷的形成 | 第37-39页 |
·空间电荷研究的发展概况 | 第39-40页 |
·电晕充电聚合物材料的表面电位衰减特性研究 | 第40-44页 |
·电晕放电的机理 | 第40-42页 |
·电位衰减的研究目的 | 第42-43页 |
·表面电位衰减的研究概况 | 第43-44页 |
·选题的目的、意义及本课题的主要内容 | 第44-48页 |
·选题的目的和意义 | 第45-46页 |
·本论文的研究内容 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-55页 |
第二章 材料的选择、制备和性能测试 | 第55-61页 |
·材料的选择 | 第55-56页 |
·无机填料的选择 | 第55页 |
·高分子基体的选择 | 第55-56页 |
·实验流程 | 第56-57页 |
·无机纳米粒子的改性 | 第56页 |
·实验研究流程 | 第56-57页 |
·性能测试 | 第57-60页 |
·实验仪器设备列表 | 第57-58页 |
·介电常数的测试方法 | 第58页 |
·击穿强度的测试方法 | 第58页 |
·耐电晕特性的测试方法 | 第58-59页 |
·空间电荷的测试方法 | 第59页 |
·表面电位衰减的测试方法 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-61页 |
第三章 纳米粒子的改性和PI/无机纳米复合薄膜的制备 | 第61-75页 |
·实验部分 | 第61页 |
·主要原料 | 第61页 |
·主要实验仪器与设备 | 第61页 |
·无机纳米粒子的改性 | 第61-64页 |
·改性剂的选择 | 第61-62页 |
·纳米粒子(TiO_2)的表面改性 | 第62-64页 |
·PI/无机纳米复合薄膜的制备工艺 | 第64-65页 |
·原位聚合法制备PI/TiO_2复合薄膜 | 第64-65页 |
·溶液共混法制备PI/TiO_2复合薄膜 | 第65页 |
·结果与讨论 | 第65-73页 |
·KH550改性对纳米粒子红外光谱的影响 | 第66页 |
·KH550改性及制备工艺对复合薄膜表面形貌的影响 | 第66-68页 |
·X射线衍射(XRD)谱图分析 | 第68-69页 |
·傅里叶红外光谱(FTIR)分析 | 第69-71页 |
·PI/TiO_2纳米复合薄膜的热性能分析 | 第71-73页 |
·本章小结 | 第73-74页 |
参考文献 | 第74-75页 |
第四章 PI/TiO_2纳米复合薄膜的介电性能与耐电晕性能的关联 | 第75-99页 |
·实验 | 第75-77页 |
·实验原料 | 第75-76页 |
·实验设备 | 第76页 |
·样品制备 | 第76页 |
·测试方法 | 第76-77页 |
·结果与讨论 | 第77-94页 |
·不同的填料含量下复合薄膜的介电性能随频率的变化关系 | 第77-79页 |
·不同的填料含量下复合薄膜的介电性能与温度的关系 | 第79-81页 |
·Cole-cole模型 | 第81-84页 |
·PI/TiO_2纳米复合薄膜的电导率 | 第84-85页 |
·PI/TiO_2纳米复合薄膜的击穿场强 | 第85-87页 |
·电晕老化实验分析 | 第87-93页 |
·SEM电镜分析 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-99页 |
第五章 PI/TiO_2纳米复合薄膜的空间电荷特性研究 | 第99-117页 |
·空间电荷的多种测量技术 | 第99-100页 |
·电声脉冲法(PEA)测量空间电荷的理论和实验装置 | 第100-103页 |
·电声脉冲法的实验装置 | 第100-101页 |
·电声脉冲法测量空间电荷的原理 | 第101-103页 |
·实验部分 | 第103-106页 |
·材料的选择 | 第103页 |
·测试系统的建立 | 第103-106页 |
·结果与讨论 | 第106-113页 |
·电晕老化前PI/TiO_2复合薄膜的空间电荷分布特性 | 第106-111页 |
·电晕老化后PI/TiO_2纳米复合薄膜的空间电荷特性 | 第111-113页 |
·本章小结 | 第113-115页 |
参考文献 | 第115-117页 |
第六章 PI/TiO_2纳米复合薄膜的表面电位衰减特性研究 | 第117-137页 |
·表面电位衰减的测量装置 | 第117-120页 |
·实验装置 | 第117-119页 |
·静电计的标定 | 第119-120页 |
·实验 | 第120-121页 |
·材料的选择 | 第120-121页 |
·实验设备 | 第121页 |
·结果与讨论 | 第121-135页 |
·不同充电电压对材料表面电位衰减的影响 | 第122-124页 |
·不同样品厚度对材料表面电位衰减的影响 | 第124-125页 |
·不同充电时间对材料表面电位衰减的影响 | 第125-127页 |
·同一电场强度对表面电位衰减的影响 | 第127-128页 |
·纳米TiO_2粒子含量对表面电位衰减的影响 | 第128-129页 |
·双层薄膜的表面电位衰减过程中的电荷传输机制 | 第129-135页 |
·本章小结 | 第135-136页 |
参考文献 | 第136-137页 |
第七章 本论文主要结论、创新点及后期工作建议 | 第137-140页 |
·论文的主要结论 | 第137-138页 |
·本论文的创新点 | 第138-139页 |
·进一步研究工作的建议 | 第139-140页 |
致谢 | 第140-141页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第141-143页 |
作者和导师简介 | 第143页 |