| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-56页 |
| ·前言 | 第23页 |
| ·气凝胶材料 | 第23-33页 |
| ·气凝胶的定义 | 第23-24页 |
| ·气凝胶的研究进展和发展趋势 | 第24-25页 |
| ·气凝胶的制备 | 第25-31页 |
| ·气凝胶的应用 | 第31-33页 |
| ·SiC的结构、性能和应用 | 第33-42页 |
| ·陶瓷的定义 | 第34页 |
| ·陶瓷的发展阶段 | 第34-35页 |
| ·SiC的晶体结构 | 第35-38页 |
| ·SiC的性能 | 第38-41页 |
| ·SiC的应用 | 第41-42页 |
| ·SiC的制备 | 第42-46页 |
| ·SiC单晶的制备 | 第43-44页 |
| ·SiC薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·SiC晶须的制备 | 第45页 |
| ·一维SiC纳米材料的制备 | 第45-46页 |
| ·Si3N4的结构、性能和制备 | 第46-48页 |
| ·Si_3N_4的结构和性能 | 第46-48页 |
| ·Si_3N_4的制备方法 | 第48页 |
| ·本课题的立题依据和主要研究内容 | 第48-50页 |
| ·本课题的立题依据 | 第48-49页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 第二章 实验原料、仪器及表征方法 | 第56-62页 |
| ·试验原料及试剂 | 第56页 |
| ·试验仪器 | 第56-57页 |
| ·实验工作流程 | 第57-58页 |
| ·材料的表征方法 | 第58-61页 |
| ·气凝胶表观密度(Density)的测定 | 第58页 |
| ·粉末X-射线衍射 | 第58页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第58页 |
| ·透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜及能谱 | 第58-59页 |
| ·BET比表面积分析 | 第59页 |
| ·热重-差示扫描热分析 | 第59页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第三章 RF/SiO_2复合气凝胶的制备与表征 | 第62-81页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·实验部分 | 第63-66页 |
| ·RF/SiO_2复合气凝胶的合成 | 第63-66页 |
| ·RF/SiO_2复合气凝胶的炭化及单组分气凝胶的制备 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-79页 |
| ·合成工艺参数对RF/SiO_2复合气凝胶的影响 | 第66-72页 |
| ·RF/SiO_2复合气凝胶的微结构的探讨 | 第72-79页 |
| ·RF/SiO_2复合气凝胶的形成过程 | 第79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |
| 第四章 逐步升温法由RF/SiO_2复合气凝胶制备碳化硅纳米线 | 第81-102页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·实验部分 | 第81-83页 |
| ·SiC样品的制备 | 第82页 |
| ·SiC的纯化处理 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-99页 |
| ·合成工艺参数对SiC制备的影响 | 第83-90页 |
| ·SiC生长过程和机理分析 | 第90-96页 |
| ·SiC制备过程中的堆垛层错 | 第96-99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第五章 快速升温法由RF/SiO_2复合气凝胶制备碳化硅纳米线 | 第102-112页 |
| ·前言 | 第102页 |
| ·实验部分 | 第102-103页 |
| ·SiC纳米线的制备 | 第102-103页 |
| ·SiC纳米线的纯化 | 第103页 |
| ·结果与讨论 | 第103-110页 |
| ·SiC纳米线的场发射扫描电镜分析 | 第103-104页 |
| ·SiC纳米线的X射线衍射分析 | 第104-105页 |
| ·SiC纳米线的透射电镜分析 | 第105-107页 |
| ·SiC纳米线的傅立叶变换红外分析 | 第107-108页 |
| ·SiC纳米线的热稳定性分析 | 第108页 |
| ·SiC纳米线的形成机理研究 | 第108-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-112页 |
| 第六章 Fe催化逐步升温法由RF/SiO2复合气凝胶制备碳化硅纳米线 | 第112-122页 |
| ·引言 | 第112页 |
| ·实验部分 | 第112-113页 |
| ·SiC前驱体的制备 | 第112-113页 |
| ·SiC样品的制备 | 第113页 |
| ·SiC样品的纯化 | 第113页 |
| ·结果与讨论 | 第113-119页 |
| ·SiC样品的场发射扫描电镜分析 | 第113-114页 |
| ·SiC样品的透射电镜分析 | 第114-115页 |
| ·SiC样品的X射线衍射分析 | 第115-118页 |
| ·SiC样品的生长过程探讨 | 第118-119页 |
| ·小结 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-122页 |
| 第七章 由RF/SiO_2复合气凝胶制备氮化硅纳米线的初步探讨 | 第122-130页 |
| ·引言 | 第122页 |
| ·实验部分 | 第122页 |
| ·结果与讨论 | 第122-129页 |
| ·前驱体的选择 | 第122-124页 |
| ·热处理时间对Si_3N_4结晶性的影响 | 第124页 |
| ·不同热处理温度下Si_3N_4的产率 | 第124-125页 |
| ·Si_3N_4样品的场发射扫描电镜分析 | 第125-127页 |
| ·Si_3N_4样品的生成机理探讨 | 第127-129页 |
| ·小结 | 第129-130页 |
| 第八章 结论 | 第130-133页 |
| ·结论 | 第130-131页 |
| ·创新点 | 第131-132页 |
| ·后续工作 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第134-135页 |
| 作者和导师简介 | 第135-137页 |
| 博士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第137-138页 |
