| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·侧向光伏及其物理机制 | 第11-15页 |
| ·物理模型 | 第12-14页 |
| ·理论模型 | 第14-15页 |
| ·侧向光伏的应用 | 第15-20页 |
| ·二维PSD 器件测量小角度 | 第16-17页 |
| ·PSD 高精度激光位移传感器 | 第17-18页 |
| ·PSD 在汽车悬架稳定度主动控制中的应用 | 第18-19页 |
| ·PSD 器件应用于近感引信目标探测 | 第19页 |
| ·基于PSD 器件的深孔直线度检测 | 第19-20页 |
| ·二维PSD 器件测量两平面的平行度 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 样品制备、测试与分析方法 | 第21-28页 |
| ·金属薄膜制备 | 第21-26页 |
| ·衬底制备 | 第21页 |
| ·溅射 | 第21-26页 |
| ·侧向光伏测量方法 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 金属半导体结侧向光伏理论 | 第28-33页 |
| ·金属半导体结侧向光伏 | 第28-29页 |
| ·半导体的光吸收简介 | 第29-32页 |
| ·本征吸收 | 第30页 |
| ·激子吸收 | 第30-31页 |
| ·自由载流子吸收 | 第31页 |
| ·杂质吸收 | 第31页 |
| ·晶格振动吸收 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 金属膜制备、侧向光伏实验测量及结果分析 | 第33-47页 |
| ·硅--二氧化硅—金属薄膜（MOS）结构中的侧向光伏 | 第33页 |
| ·金属薄膜制备 | 第33-35页 |
| ·沉积率 | 第33-34页 |
| ·制备工艺及步骤 | 第34-35页 |
| ·金—二氧化硅—硅结构(Au-SiO2-Si)中的侧向光伏效应 | 第35-46页 |
| ·实验样品 | 第35-37页 |
| ·样品1：Au40nm—Si0.5mm 照射波长：650nm | 第37-39页 |
| ·样品1：Au40nm—Si0.5mm 照射波长：780nm | 第39-40页 |
| ·样品1：Au40nm—Si0.5mm 照射波长：650nm 与780nm | 第40-41页 |
| ·对于样品一的实验结果分析讨论 | 第41-42页 |
| ·样品一的实验结果与侧向光伏理论的模拟结果 | 第42-45页 |
| ·其它样品的侧向光伏实验结果 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 硅--二氧化--金属薄膜（MOS）结构中的振荡光伏以及波导现象 | 第47-59页 |
| ·硅基底半导体光波导简介 | 第47页 |
| ·硅基底半导体光波导的种类 | 第47-50页 |
| ·外延型光波导 | 第47-48页 |
| ·SOI 光波导 | 第48-49页 |
| ·氧化硅光波导 | 第49页 |
| ·GexSi1-x 外延层光波导和Ge 扩散光波导 | 第49页 |
| ·硅V 槽光波导 | 第49-50页 |
| ·SiC 光波导 | 第50页 |
| ·硅基光波导器件 | 第50-51页 |
| ·MS 结构(Au-Si)中的振荡光伏及导波现象 | 第51-58页 |
| ·实验装置和数据采集 | 第51-52页 |
| ·实验结果 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 光场能量在嵌入式纳米材料结构中的定位聚焦 | 第59-82页 |
| ·简介 | 第59-61页 |
| ·广义本征值问题 | 第61-64页 |
| ·延迟Green 函数，表面等离子体波在金属表面的增益 | 第64-68页 |
| ·直角坐标下结构算符矩阵元 | 第68-74页 |
| ·直角坐标下势函数的表示形式 | 第68页 |
| ·算符A ,B 的矩阵元 | 第68-70页 |
| ·与边界有关的算符A, B 的矩阵元 | 第70-72页 |
| ·不同边界下的内积<φ_0(r)> <φ_n(r)> | 第72-74页 |
| ·偏振光脉冲相位频率调制反演控制 | 第74-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第七章 全文总结 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读硕士期间已发表的论文 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-88页 |
| 附件 | 第88页 |
