| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-26页 |
| ·研究背景、目的和意义 | 第8页 |
| ·GaN材料的特性及其生长 | 第8-14页 |
| ·晶体结构 | 第8-9页 |
| ·材料性质 | 第9-11页 |
| ·GaN外延衬底 | 第11-12页 |
| ·GaN外延生长 | 第12-14页 |
| ·核辐射探测器 | 第14-24页 |
| ·气体探测器 | 第14-16页 |
| ·闪烁体探测器 | 第16-19页 |
| ·半导体探测器 | 第19-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 2 欧姆接触 | 第26-37页 |
| ·引言 | 第26-29页 |
| ·比接触电阻率 | 第29-33页 |
| ·欧姆接触的制备 | 第33-36页 |
| ·欧姆接触合金化方案 | 第33页 |
| ·欧姆接触退火的研究 | 第33-34页 |
| ·GaN材料表面处理的研究 | 第34-35页 |
| ·欧姆接触的制备过程 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 3 GaN基肖特基结室温核辐射探测器的制备与性能研究 | 第37-54页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·用双肖特基方法分析表面处理工艺对肖特基结性能的影响 | 第37-41页 |
| ·ICP刻蚀对肖特基结二极管性能的影响 | 第41-46页 |
| ·肖特基结探测器的制备及性能测试 | 第46-49页 |
| ·器件的制备工艺 | 第46-47页 |
| ·器件的电压-电流测试结果及分析 | 第47-49页 |
| ·核辐射探测器的测试与分析 | 第49-52页 |
| ·核辐射探测的测试系统 | 第49-50页 |
| ·核辐射探测的测试与能谱分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 4 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 附:作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录、科研情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
