| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章绪论 | 第10-24页 |
| 1.1引言 | 第10-11页 |
| 1.2钙钛矿QD材料的结构及种类 | 第11-13页 |
| 1.3铅基钙钛矿QD的简介及研究进展 | 第13-19页 |
| 1.3.1钙钛矿QD的主要合成方法 | 第13-15页 |
| 1.3.2铅基钙钛矿QD的研究进展及性质 | 第15-16页 |
| 1.3.3铅基钙钛矿QD的钝化研究 | 第16-19页 |
| 1.4钙钛矿NC在LED中的应用及研究进展 | 第19-23页 |
| 1.4.1钙钛矿NC在LED中的应用 | 第19-21页 |
| 1.4.2金属溴化物钙钛矿NCLED性能提升的主要方法 | 第21-23页 |
| 1.5本论文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章有机-无机混合阳离子NC的合成及其在发光二极管中的应用 | 第24-33页 |
| 2.1引言 | 第24页 |
| 2.2FAPbBr3和FA0.8Cs0.2PbBr3NC的合成及表征 | 第24-30页 |
| 2.2.1实验材料与表征 | 第24-25页 |
| 2.2.2FAPbBr3和FA0.8Cs0.2PbBr3NC的合成 | 第25-26页 |
| 2.2.3FAPbBr3和FA0.8Cs0.2PbBr3NC的表征 | 第26-28页 |
| 2.2.4不同前驱液注入量对NC性能的影响 | 第28-30页 |
| 2.3基于钙钛矿NC发光层的LED制备及性能分析 | 第30-32页 |
| 2.3.1基于钙钛矿NC发光层的LED制备 | 第30页 |
| 2.3.2基于钙钛矿NC发光层的LED性能分析 | 第30-32页 |
| 2.4本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章TBAB界面缺陷钝化及其在发光二极管中的应用 | 第33-38页 |
| 3.1引言 | 第33页 |
| 3.2TBAB修饰的薄膜的制备及表征分析 | 第33-35页 |
| 3.2.1TBAB修饰的薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2TBAB修饰的薄膜的表征分析 | 第34-35页 |
| 3.3基于TBAB界面修饰的LED制备及性能分析 | 第35-37页 |
| 3.3.1基于TBAB界面修饰的LED制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2基于TBAB界面修饰的LED性能分析 | 第36-37页 |
| 3.4本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC及其在发光二极管中的应用 | 第38-52页 |
| 4.1引言 | 第38页 |
| 4.2ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC的合成及表征 | 第38-46页 |
| 4.2.1ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC的合成 | 第38-39页 |
| 4.2.2ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC的表征 | 第39-46页 |
| 4.3基于ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC的LED制备及性能分析 | 第46-51页 |
| 4.3.1基于ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC发光层的单载流子器件制备 | 第46-47页 |
| 4.3.2基于ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC发光层的单载流子器件陷阱态密度分析 | 第47-48页 |
| 4.3.3基于ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC发光层的LED制备 | 第48-49页 |
| 4.3.4基于ABMeoPy钝化的FA0.8Cs0.2PbBr3NC发光层的LED性能分析 | 第49-51页 |
| 4.4本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 附录1攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第62-63页 |
| 附录2攻读硕士学位期间申请的专利 | 第63-64页 |
| 附录3攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
