基于四(4-羧基苯基)硅烷的半导体MOF材料的合成、应用及DFT计算研究

摘要第3-4页
Abstract第4-8页
第一章绪论第8-20页
    引言第8页
    1.1金属有机骨架化合物(MOF)的简介第8-9页
    1.2金属骨架化合物(MOF)的应用第9页
    1.3金属有机骨架化合物对水和热稳定性的研究第9-10页
    1.4金属有机骨架化合物的半导体性能研究第10-12页
    1.5对MOF半导体材料的能带结构和禁带宽度的理论计算研究现状第12-14页
    1.6基于四(4-羧基苯基)硅烷(H4TCS)的MOF材料第14-17页
    1.7本论文的研究目的、研究方法、研究成果第17-20页
        1.7.1研究目的和研究方法第17页
        1.7.2研究成果第17-20页
第二章半导体MOF的能带结构和态密度的理论计算研究第20-42页
    2.1引言第20-24页
    2.2计算方法第24-26页
    2.3结果与讨论第26-41页
        2.3.1结构优化第26-27页
        2.3.2能带结构和态密度分布(DOS)图第27-32页
        2.3.3理论计算的Eg与实验值的比较第32-39页
        2.3.4MOF1-3的DOS图第39-41页
    2.4本章小结第41-42页
第三章基于四面体配体H4TCS和1,4-二(对吡啶基)苯的Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)MOF材料的UV-vis吸收光谱和光电性质研究第42-55页
    3.1引言第42-43页
    3.2实验部分第43-46页
        3.2.1主要实验试剂第43-44页
        3.2.2表征仪器和方法第44页
        3.2.3配合物[Cu(H2TCS)(H2O)](4)的合成第44-45页
        3.2.4Co(H2TCS)(BPB)(5)的合成的合成第45页
        3.2.5配合物Ni(H2TCS)(BPB)(6)的合成第45-46页
    3.3结果与讨论第46-53页
        3.3.1合成研究第46-49页
        3.3.2MOF4-6的拓扑结构分析第49-51页
        3.3.3MOF4-6的UV-Vis漫反射光谱和禁带宽度第51-52页
        3.3.4MOF4-6的光电性质第52-53页
    3.4本章小结第53-55页
第四章基于H4TCS配体和1,4-二(2-甲基-3-咪唑基)苯的Ni(Ⅱ)新型MOF材料的合成与表征第55-68页
    4.1引言第55-56页
    4.2实验部分第56-59页
        4.2.1主要实验试剂第56页
        4.2.2一般表征仪器和方法第56-57页
        4.2.3配合物的合成第57-58页
        4.2.4晶体结构的测定和晶体学数据第58-59页
    4.3结果与讨论第59-66页
        4.3.1MOF7和8的合成和表征第59-60页
        4.3.2结构描述第60-64页
        4.3.3MOF7和8的气体吸附性质第64-65页
        4.3.4MOF7和8的热稳定性和对水的稳定性第65-66页
    4.4本章小结第66-68页
第五章结论和展望第68-70页
附录A第70-78页
参考文献第78-90页
在读期间发表的学术论文及研究成果第90-91页
致谢第91页

论文共91页,点击 下载论文
上一篇:CuFeO_2纳米材料及其异质结的制备与光电化学性能研究
下一篇:过渡金属配合物催化酮转移氢化及2-吡咯酮和炔烃的C-H键官能化反应的理论研究