| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 第二章 理论方法 | 第15-27页 |
| 1.非相对论R-matrix方法 | 第15-22页 |
| 2.一阶born近似与广义振子强度 | 第22-25页 |
| 3.扭曲波方法 | 第25-27页 |
| 第三章 e+He低能区的散射精确计算结果 | 第27-47页 |
| 3.1 本章引言 | 第27-29页 |
| 3.2 N-电子靶的准备与靶态能级和实验的比较 | 第29-33页 |
| 3.3 散射计算结果 | 第33-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 e+He低中高能区的接口 | 第47-68页 |
| 4.1 本章引言 | 第47-48页 |
| 4.2 理论方法 | 第48-52页 |
| 4.3 1 s-2s和1s-2p低能区与高能区接口 | 第52-62页 |
| 4.3.1 1 s-2s跃迁 | 第52-57页 |
| 4.3.2 1 s-2p跃迁 | 第57-62页 |
| 4.4 低中高能区散射的有效处理方法 | 第62-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与讨论 | 第68-82页 |
| 5.1 总结-全能域的电子中性原子碰撞激发 | 第68-69页 |
| 5.2 讨论–低能电子与离子碰撞激发 | 第69-82页 |
| 参考文献 | 第82-91页 |
| 附录一 原子准完备基的构建 | 第91-94页 |
| 附录二 多通道量子数亏损理论(MQDT) | 第94-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第100-103页 |