| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第14-24页 |
| 1.1 红外技术与红外探测器 | 第14-17页 |
| 1.1.1 红外技术简介与应用 | 第14-16页 |
| 1.1.2 红外探测器概述 | 第16-17页 |
| 1.2 热探测器 | 第17-19页 |
| 1.3 谐振式红外探测器 | 第19-22页 |
| 1.4 本课题研究的内容 | 第22-24页 |
| 2 谐振式红外探测器的理论研究与设计 | 第24-45页 |
| 2.1 新型谐振式红外探测器结构与探测理论 | 第24-27页 |
| 2.1.1 基本结构与工作原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 探测器热功率与谐振频率关系理论计算 | 第25-27页 |
| 2.2 微桥红外吸收层材料研究 | 第27-38页 |
| 2.2.1 薄膜光学理论 | 第27-33页 |
| 2.2.2 单层薄膜红外吸收特性研究 | 第33-36页 |
| 2.2.3 双层薄膜红外吸收特性研究 | 第36-38页 |
| 2.3 两端固支梁的温度分布研究 | 第38-44页 |
| 2.3.1 热辐射产生的温度场计算 | 第38-41页 |
| 2.3.2 激励检测电阻产生的温度场计算 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 新型谐振式红外探测器制作工艺 | 第45-66页 |
| 3.1 基于MEMS工艺的谐振式红外探测器工艺流程设计 | 第47-55页 |
| 3.1.1 负性光刻胶光刻工艺 | 第49-50页 |
| 3.1.2 溅射工艺 | 第50-53页 |
| 3.1.3 PECVD氮化硅材料制备 | 第53-55页 |
| 3.2 初次流片问题分析与关键工艺改进 | 第55-60页 |
| 3.2.1 多晶硅离子注入制作电阻 | 第56-58页 |
| 3.2.2 铝线保护工艺 | 第58-60页 |
| 3.3 改进后的谐振式红外探测器制作工艺流程 | 第60-63页 |
| 3.4 器件的封装 | 第63-65页 |
| 3.4.1 封装材料的选择 | 第63-64页 |
| 3.4.2 引线键合 | 第64-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 4 红外探测器性能测试与分析 | 第66-77页 |
| 4.1 红外探测器的特性参数 | 第66-69页 |
| 4.2 谐振特性与红外探测性能测试 | 第69-75页 |
| 4.2.1 谐振特性测试 | 第69-71页 |
| 4.2.2 红外探测性能测试 | 第71-75页 |
| 4.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 5 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 作者简介 | 第83页 |