| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 纳米半导体材料 | 第12-14页 |
| 1.2.1 纳米材料和半导体材料的介绍 | 第12-13页 |
| 1.2.2 半导体材料的光吸收性质 | 第13-14页 |
| 1.2.3 纳米半导体材料的光学特性 | 第14页 |
| 1.3 半导体材料的光电催化原理及应用 | 第14-18页 |
| 1.3.1 半导体光催化和光电催化原理 | 第14-15页 |
| 1.3.2 光催化电解水制氢的原理 | 第15-17页 |
| 1.3.3 光电化学检测的原理 | 第17-18页 |
| 1.4 光电化学半导体材料 | 第18-21页 |
| 1.4.1 常见的用于光电催化的半导体材料 | 第18-19页 |
| 1.4.2 In_2S_3材料的研究概况 | 第19-20页 |
| 1.4.3 BiVO_4材料的研究概况 | 第20-21页 |
| 1.5 半导体材料的表面形貌设计和调控方法 | 第21-22页 |
| 1.5.1 自组装法 | 第21页 |
| 1.5.2 电化学沉积法 | 第21页 |
| 1.5.3 溶剂热法 | 第21-22页 |
| 1.5.4 硬模板法 | 第22页 |
| 1.5.5 溶胶-凝胶法 | 第22页 |
| 1.6 半导体表面形貌对光电化学性能的影响 | 第22-24页 |
| 1.6.1 晶格缺陷和晶面暴露 | 第22-23页 |
| 1.6.2 具体形貌的影响 | 第23-24页 |
| 1.7 课题选题依据 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-31页 |
| 2.1 主要实验试剂 | 第26页 |
| 2.2 主要实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.3 材料表征 | 第27-28页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第27页 |
| 2.3.2 扫描电子显微技术 | 第27-28页 |
| 2.3.3 能量色散X射线谱分析 | 第28页 |
| 2.3.4 紫外-可见吸收光谱分析 | 第28页 |
| 2.3.5 傅里叶变换红外光谱分析 | 第28页 |
| 2.4 光电性能和光电化学传感性能测试 | 第28-31页 |
| 2.4.1 线性扫描伏安测试 | 第29-30页 |
| 2.4.2 电流-时间测试 | 第30页 |
| 2.4.3 电化学交流阻抗谱测试 | 第30页 |
| 2.4.4 莫特-肖特基曲线 | 第30-31页 |
| 第三章 In_2S_3多孔纳米结构薄膜的制备及其光电性能的研究 | 第31-45页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验的制备 | 第32-33页 |
| 3.2.1 In_2S_3薄膜的制备 | 第32页 |
| 3.2.2 In_2S_3薄膜的表征 | 第32页 |
| 3.2.3 In_2S_3薄膜的光电化学测试 | 第32-33页 |
| 3.2.4 In_2S_3薄膜的热稳定性检测 | 第33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-44页 |
| 3.3.1 In_2S_3薄膜的结构和形貌表征 | 第33-34页 |
| 3.3.2 反应时间对In_2S_3薄膜的晶体结构和形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.3 反应时间对In_2S_3薄膜的光学性质的影响 | 第36页 |
| 3.3.4 莫特-肖特基测试 | 第36-37页 |
| 3.3.5 In_2S_3薄膜的光电化学性能 | 第37-39页 |
| 3.3.6 溶剂组成和硫脲用量对In_2S_3薄膜形貌和光电化学性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.7 In_2S_3薄膜的热稳定性实验 | 第41-42页 |
| 3.3.8 In_2S_3薄膜的形成机理 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 纳米蠕虫状形貌BiVO_4光阳极的制备及其光电化学检测抗坏血酸的应用 | 第45-57页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46-47页 |
| 4.2.1 试剂 | 第46页 |
| 4.2.2 BiVO_4光阳极的制备 | 第46-47页 |
| 4.2.3 仪器 | 第47页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第47-56页 |
| 4.3.1 表面形貌 | 第47-48页 |
| 4.3.2 BiVO_4光阳极的XRD谱图 | 第48页 |
| 4.3.3 BiVO_4前驱物固体的XRD谱图和FTIR谱图 | 第48-50页 |
| 4.3.4 光吸收性质 | 第50-51页 |
| 4.3.5 电化学阻抗谱 | 第51页 |
| 4.3.6 斩波线性扫描伏安曲线 | 第51-52页 |
| 4.3.7 对抗坏血酸的光电化学检测 | 第52-53页 |
| 4.3.8 检测抗坏血酸的抗干扰性测试 | 第53-54页 |
| 4.3.9 光电化学传感器的工作机理 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论与展望 | 第57-58页 |
| 结论 | 第57页 |
| 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 攻读硕士学位论文期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第69页 |
