化学气相沉积法制备二硫化钼纳米片及其催化性能的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 MoS_2的结构 | 第11-12页 |
| 1.2 二维材料MoS_2 | 第12-17页 |
| 1.2.1 微机械剥离法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 锂离子插层剥离法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 液相超声剥离法 | 第14-15页 |
| 1.2.4 水热法 | 第15页 |
| 1.2.5 化学气相沉积法 | 第15-17页 |
| 1.3 MoS_2的性质与应用 | 第17-19页 |
| 1.3.1 润滑性能与应用 | 第17页 |
| 1.3.2 电学性能与应用 | 第17-18页 |
| 1.3.3 光学性能与应用 | 第18页 |
| 1.3.4 催化性能与应用 | 第18-19页 |
| 1.4 垂直生长MoS_2纳米片 | 第19-20页 |
| 1.5 论文工作的目的与主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 MoS_2纳米片的制备与表征 | 第21-28页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第21-22页 |
| 2.2 实验设计与工艺 | 第22-24页 |
| 2.3 实验沉积参数 | 第24-25页 |
| 2.4 测试与表征方法 | 第25-28页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第25页 |
| 2.4.2 激光Raman光谱 | 第25-26页 |
| 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.4.4 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.4.5 X射线光电子能谱 | 第27页 |
| 2.4.6 透射电子显微镜 | 第27页 |
| 2.4.7 电化学测试 | 第27-28页 |
| 第3章 化学气相沉积制备垂直生长MoS_2纳米片 | 第28-42页 |
| 3.1 沉积压强对MoS_2生长的影响 | 第28-30页 |
| 3.2 氢气流量对MoS_2生长的影响 | 第30-33页 |
| 3.3 沉积时间对MoS_2生长的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 沉积位置对MoS_2生长的影响 | 第35-38页 |
| 3.5 沉积温度对MoS_2生长的影响 | 第38-39页 |
| 3.6 垂直生长MoS_2纳米片生长机理研究 | 第39-40页 |
| 3.7 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 垂直生长MoS_2纳米片催化性能研究 | 第42-60页 |
| 4.1 电催化析氢原理 | 第42-44页 |
| 4.2 沉积压强对MoS_2纳米片催化性能的影响 | 第44-48页 |
| 4.3 氢气流量对MoS_2纳米片催化性能的影响 | 第48-51页 |
| 4.4 沉积位置对MoS_2纳米片催化性能的影响 | 第51-54页 |
| 4.5 沉积温度对MoS_2纳米片催化性能的影响 | 第54-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表相关科研成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
