摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第1章 绪论 | 第11-15页 |
1.1 ZnO的晶体结构 | 第11页 |
1.2 掺杂ZnO薄膜的性质 | 第11-13页 |
1.2.1 气敏性质 | 第11-12页 |
1.2.2 光电性质 | 第12页 |
1.2.3 红外线反射膜 | 第12-13页 |
1.2.4 电磁屏蔽 | 第13页 |
1.3 薄膜的缺陷 | 第13页 |
1.4 薄膜材料研究现状 | 第13页 |
1.5 本课题的研究内容及意义 | 第13-15页 |
第2章 掺杂ZnO薄膜的制备及表征 | 第15-24页 |
2.1 薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
2.1.1 化学气相淀积法 | 第15-16页 |
2.1.2 热蒸发技术 | 第16页 |
2.1.3 分子束外延 | 第16页 |
2.1.4 溅射 | 第16-17页 |
2.2 实验过程 | 第17-18页 |
2.2.1 衬底处理 | 第18页 |
2.2.2 薄膜的制备 | 第18页 |
2.3 性能表征 | 第18-23页 |
2.3.1 紫外-可见光分光光度计 | 第19页 |
2.3.2 X射线衍射仪(XRD) | 第19-21页 |
2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第21页 |
2.3.4 霍尔效应仪 | 第21-22页 |
2.3.5 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第22页 |
2.3.6 四探针仪 | 第22-23页 |
2.4 小结 | 第23-24页 |
第3章 GZO:Ti薄膜微观结构的研究 | 第24-41页 |
3.1 沉积温度对GZO:Ti薄膜微观结构的影响 | 第24-30页 |
3.1.1 薄膜的制备 | 第24页 |
3.1.2 薄膜的XRD分析 | 第24-28页 |
3.1.3 薄膜的XPS分析 | 第28-29页 |
3.1.4 薄膜的SEM分析 | 第29-30页 |
3.2 氩气压强对GZO:Ti薄膜微观结构的影响 | 第30-34页 |
3.2.1 薄膜的制备 | 第30页 |
3.2.2 薄膜的XRD分析 | 第30-34页 |
3.3 溅射功率对GZO:Ti薄膜微观结构的影响 | 第34-38页 |
3.3.1 薄膜的制备 | 第34页 |
3.3.2 薄膜的XRD分析 | 第34-38页 |
3.4 靶基距离对GZO:Ti薄膜微观结构的影响 | 第38-40页 |
3.4.1 薄膜的制备 | 第38页 |
3.4.2 薄膜的XRD分析 | 第38-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 GZO:Ti薄膜光电性能的研究 | 第41-61页 |
4.1 沉积温度对GZO:Ti薄膜光电性能的影响 | 第41-46页 |
4.1.1 沉积温度对GZO:Ti薄膜光学性能的影响 | 第41-45页 |
4.1.2 沉积温度对GZO:Ti薄膜电学性能的影响 | 第45-46页 |
4.2 氩气压强对GZO:Ti薄膜光电性能的影响 | 第46-50页 |
4.2.1 氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性能的影响 | 第46-49页 |
4.2.2 氩气压强对GZO:Ti薄膜电学性能的影响 | 第49-50页 |
4.3 溅射功率对GZO:Ti薄膜光电性能的影响 | 第50-55页 |
4.3.1 溅射功率对GZO:Ti薄膜光学性能的影响 | 第50-54页 |
4.3.2 溅射功率对GZO:Ti薄膜电学性能的影响 | 第54-55页 |
4.4 靶基距离对GZO:Ti薄膜光电性能的影响 | 第55-56页 |
4.4.1 靶基距离对GZO:Ti薄膜光学性能的影响 | 第55-56页 |
4.4.2 靶基距离对GZO:Ti薄膜电学性能的影响 | 第56页 |
4.5 最佳工艺条件下GZO:Ti薄膜的性能研究 | 第56-59页 |
4.5.1 制备GZO:Ti薄膜的最佳工艺条件 | 第56页 |
4.5.2 GZO:Ti薄膜的制备 | 第56页 |
4.5.3 GZO:Ti薄膜的微观结构和光电性能 | 第56-59页 |
4.5.4 GZO:Ti薄膜的折射率色散性质 | 第59页 |
4.6 本章小结 | 第59-61页 |
第5章 总结与展望 | 第61-63页 |
5.1 总结 | 第61-62页 |
5.2 展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第70页 |