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掺钦GZO透明导电薄膜的制备及其性能研究

摘要第7-9页
Abstract第9-10页
第1章 绪论第11-15页
    1.1 ZnO的晶体结构第11页
    1.2 掺杂ZnO薄膜的性质第11-13页
        1.2.1 气敏性质第11-12页
        1.2.2 光电性质第12页
        1.2.3 红外线反射膜第12-13页
        1.2.4 电磁屏蔽第13页
    1.3 薄膜的缺陷第13页
    1.4 薄膜材料研究现状第13页
    1.5 本课题的研究内容及意义第13-15页
第2章 掺杂ZnO薄膜的制备及表征第15-24页
    2.1 薄膜的制备方法第15-17页
        2.1.1 化学气相淀积法第15-16页
        2.1.2 热蒸发技术第16页
        2.1.3 分子束外延第16页
        2.1.4 溅射第16-17页
    2.2 实验过程第17-18页
        2.2.1 衬底处理第18页
        2.2.2 薄膜的制备第18页
    2.3 性能表征第18-23页
        2.3.1 紫外-可见光分光光度计第19页
        2.3.2 X射线衍射仪(XRD)第19-21页
        2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)第21页
        2.3.4 霍尔效应仪第21-22页
        2.3.5 X射线光电子能谱仪(XPS)第22页
        2.3.6 四探针仪第22-23页
    2.4 小结第23-24页
第3章 GZO:Ti薄膜微观结构的研究第24-41页
    3.1 沉积温度对GZO:Ti薄膜微观结构的影响第24-30页
        3.1.1 薄膜的制备第24页
        3.1.2 薄膜的XRD分析第24-28页
        3.1.3 薄膜的XPS分析第28-29页
        3.1.4 薄膜的SEM分析第29-30页
    3.2 氩气压强对GZO:Ti薄膜微观结构的影响第30-34页
        3.2.1 薄膜的制备第30页
        3.2.2 薄膜的XRD分析第30-34页
    3.3 溅射功率对GZO:Ti薄膜微观结构的影响第34-38页
        3.3.1 薄膜的制备第34页
        3.3.2 薄膜的XRD分析第34-38页
    3.4 靶基距离对GZO:Ti薄膜微观结构的影响第38-40页
        3.4.1 薄膜的制备第38页
        3.4.2 薄膜的XRD分析第38-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章 GZO:Ti薄膜光电性能的研究第41-61页
    4.1 沉积温度对GZO:Ti薄膜光电性能的影响第41-46页
        4.1.1 沉积温度对GZO:Ti薄膜光学性能的影响第41-45页
        4.1.2 沉积温度对GZO:Ti薄膜电学性能的影响第45-46页
    4.2 氩气压强对GZO:Ti薄膜光电性能的影响第46-50页
        4.2.1 氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性能的影响第46-49页
        4.2.2 氩气压强对GZO:Ti薄膜电学性能的影响第49-50页
    4.3 溅射功率对GZO:Ti薄膜光电性能的影响第50-55页
        4.3.1 溅射功率对GZO:Ti薄膜光学性能的影响第50-54页
        4.3.2 溅射功率对GZO:Ti薄膜电学性能的影响第54-55页
    4.4 靶基距离对GZO:Ti薄膜光电性能的影响第55-56页
        4.4.1 靶基距离对GZO:Ti薄膜光学性能的影响第55-56页
        4.4.2 靶基距离对GZO:Ti薄膜电学性能的影响第56页
    4.5 最佳工艺条件下GZO:Ti薄膜的性能研究第56-59页
        4.5.1 制备GZO:Ti薄膜的最佳工艺条件第56页
        4.5.2 GZO:Ti薄膜的制备第56页
        4.5.3 GZO:Ti薄膜的微观结构和光电性能第56-59页
        4.5.4 GZO:Ti薄膜的折射率色散性质第59页
    4.6 本章小结第59-61页
第5章 总结与展望第61-63页
    5.1 总结第61-62页
    5.2 展望第62-63页
参考文献第63-69页
致谢第69-70页
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录)第70页

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