| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管概述 | 第13-21页 |
| 1.2.1 氧化物TFT的研究历史与现状 | 第13-16页 |
| 1.2.2 氧化物TFTs的特性 | 第16-20页 |
| 1.2.3 氧化物TFTs的应用 | 第20-21页 |
| 1.3 碘化亚铜(CuI)的制备与应用 | 第21-25页 |
| 1.3.1 碘化亚铜(CuI)的基本物理性质 | 第21-22页 |
| 1.3.2 碘化亚铜(CuI)的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.3.3 碘化亚铜薄膜的应用 | 第23-25页 |
| 1.4 本文的选题依据和研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 ZnO-TFTs器件制备及工艺优化 | 第26-42页 |
| 2.1 ZnO材料特性 | 第26-28页 |
| 2.1.1 ZnO电学特性 | 第26-28页 |
| 2.2 ZnO-TFTs器件制备 | 第28-35页 |
| 2.2.1 实验环境及设备 | 第28-31页 |
| 2.2.2 ZnO-TFTs器件结构 | 第31-32页 |
| 2.2.3 ZnO-TFTs的工艺制作流程 | 第32-35页 |
| 2.3 ALD生长ZnO薄膜过程 | 第35-36页 |
| 2.4 改变ZnO生长条件对ZnO-TFTs性能的提升 | 第36-42页 |
| 2.4.1 DEZ和水的通入时间对ZnO-TFTs的影响 | 第36-37页 |
| 2.4.2 ZnO生长温度对ZnO-TFTs的影响 | 第37-42页 |
| 第三章 ZnO-TFTs器件稳定性测试 | 第42-52页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 ZnO-TFTs的栅偏压应力测试 | 第42-44页 |
| 3.2.1 正栅压应力(PGBS)测试下器件性能测试 | 第42-43页 |
| 3.2.2 负栅压应力(NGBS)测试下器件性能测试 | 第43-44页 |
| 3.3 自加热应力(SHS)下ZnO-TFTs性能测试 | 第44-46页 |
| 3.4 热载流子应力(HCS)下器件性能测试 | 第46-47页 |
| 3.5 器件的重复性测试 | 第47页 |
| 3.6 器件的环境稳定性 | 第47-48页 |
| 3.7 器件的均匀性测试 | 第48-49页 |
| 3.8 器件的光敏性测试 | 第49页 |
| 3.9 分频计数器的稳定性测试 | 第49-51页 |
| 3.10 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 CuI薄膜与器件制备工艺 | 第52-62页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 CuI薄膜的制备与薄膜表征 | 第53-56页 |
| 4.2.1 真空热蒸发设备 | 第53页 |
| 4.2.2 真空热蒸发法制备CuI薄膜 | 第53-54页 |
| 4.2.3 CuI薄膜表征 | 第54-55页 |
| 4.2.4 惰性气体退火对CuI电学性能的改善 | 第55-56页 |
| 4.3 基于p-CuI/n-ZnO的PN异质结的制备 | 第56-58页 |
| 4.3.1 PN结工作原理 | 第56-57页 |
| 4.3.2 PN结制备工艺 | 第57-58页 |
| 4.4 CuI的P型薄膜晶体管的制备 | 第58-59页 |
| 4.4.1 基于CuI的透明薄膜晶体管制备工艺 | 第58-59页 |
| 4.4.2 CuI的P型薄膜晶体管性能测试 | 第59页 |
| 4.5 总结 | 第59-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-65页 |
| 5.1 本文主要研究内容和成果 | 第62-63页 |
| 5.2 论文的不足之处及未来展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第73页 |
