| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 前言 | 第15-23页 |
| 1.1.1 微流控芯片的简介 | 第15-16页 |
| 1.1.2 微流控芯片的历史发展 | 第16页 |
| 1.1.3 微流控芯片的材料 | 第16-17页 |
| 1.1.4 微流控芯片的制作 | 第17-20页 |
| 1.1.4.1 硅、玻璃材料微流控芯片的制作 | 第17-18页 |
| 1.1.4.2 高聚物材料芯片的制作 | 第18-20页 |
| 1.1.5 微流控芯片的应用 | 第20-23页 |
| 1.1.5.1 分子诊断 | 第20-21页 |
| 1.1.5.2 细胞分析 | 第21-22页 |
| 1.1.5.3 药物研究 | 第22-23页 |
| 1.2 冰毒的危害及检测方法现状 | 第23-26页 |
| 1.2.1 冰毒的危害 | 第23页 |
| 1.2.2 冰毒的检测方法 | 第23-26页 |
| 1.3 原位液体TEM芯片 | 第26-35页 |
| 1.3.1 TEM的发展历史及现状 | 第26-28页 |
| 1.3.2 常见原位液体TEM液体池 | 第28-33页 |
| 1.3.2.1 离子液体 | 第28-29页 |
| 1.3.2.2 氮化硅(SN)窗口芯片 | 第29-31页 |
| 1.3.2.3 石墨烯液体芯片 | 第31-33页 |
| 1.3.3 原位液体TEM芯片的应用 | 第33-35页 |
| 1.4 选题背景、意义和主要内容 | 第35-36页 |
| 第二章 毛发中冰毒微流控芯片检测 | 第36-55页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 实验试剂、材料及仪器设备 | 第36-38页 |
| 2.2.1 实验试剂及材料 | 第36-37页 |
| 2.2.2 主要的实验仪器和设备 | 第37-38页 |
| 2.3 实验方法 | 第38-43页 |
| 2.3.1 毛发的前处理 | 第38页 |
| 2.3.2 质谱多反应监测的表征 | 第38页 |
| 2.3.3 玻璃芯片的制作 | 第38-40页 |
| 2.3.4 纳米粒子的制备 | 第40-41页 |
| 2.3.4.1 Au纳米粒子的合成 | 第40页 |
| 2.3.4.2 Fe_3O_4纳米粒子的合成 | 第40页 |
| 2.3.4.3 Fe_3O_4表面氨基化修饰 | 第40-41页 |
| 2.3.4.4 Fe_3O_4@Au纳米粒子的制备 | 第41页 |
| 2.3.5 拉曼标记免疫金的制备 | 第41-42页 |
| 2.3.6 磁抗体的制备 | 第42页 |
| 2.3.7 加标冰毒溶液的配制 | 第42页 |
| 2.3.8 Au纳米粒子及其复合物的UV-Vis光谱表征 | 第42页 |
| 2.3.9 SEM表征 | 第42页 |
| 2.3.10 TEM表征 | 第42页 |
| 2.3.11 拉曼检测 | 第42-43页 |
| 2.4 结果分析与讨论 | 第43-54页 |
| 2.4.1 玻璃芯片的设计与加工 | 第43-44页 |
| 2.4.2 基于免疫竞争法的SERS检测方案设计 | 第44-45页 |
| 2.4.3 Fe_3O_4粒子的扫描电镜表征 | 第45-46页 |
| 2.4.4 标记免疫金和Fe_3O_4@Au粒子的TEM表征 | 第46页 |
| 2.4.5 免疫磁纳米的磁性考察 | 第46-47页 |
| 2.4.6 金纳米粒子及其复合物的紫外表征 | 第47-48页 |
| 2.4.7 拉曼激光波长的选择 | 第48页 |
| 2.4.8 拉曼积分时间的选择 | 第48-50页 |
| 2.4.9 毛发消解液加标冰毒的拉曼检测 | 第50页 |
| 2.4.10 冰毒标准曲线的建立 | 第50-52页 |
| 2.4.11 实际样品的拉曼检测 | 第52页 |
| 2.4.12 质谱多反应技术表征 | 第52-54页 |
| 2.5 小结 | 第54-55页 |
| 第三章 透射电镜芯片的研制 | 第55-74页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 实验试剂、材料及仪器设备 | 第56-57页 |
| 3.2.1 实验试剂及材料 | 第56页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第56-57页 |
| 3.3 实验工艺及方法 | 第57-61页 |
| 3.3.1 原位液体芯片制作工艺总流程图 | 第57页 |
| 3.3.2 硅片的清洗工艺 | 第57-58页 |
| 3.3.3 薄膜生长工艺 | 第58页 |
| 3.3.4 图形化的工艺 | 第58-60页 |
| 3.3.5 刻蚀工艺 | 第60页 |
| 3.3.6 键合工艺 | 第60-61页 |
| 3.3.7 原子力显微镜表征 | 第61页 |
| 3.3.8 原位液体透射电镜实验 | 第61页 |
| 3.4 结果的分析和讨论 | 第61-72页 |
| 3.4.1 掩膜版的图形设计 | 第61-62页 |
| 3.4.2 氧化硅的XPS图谱 | 第62-63页 |
| 3.4.3 考察刻蚀时间对氧化硅通道的影响 | 第63-65页 |
| 3.4.4 原子力显微镜表征 | 第65-66页 |
| 3.4.5 键合工艺的探索 | 第66页 |
| 3.4.6 腐蚀工艺 | 第66-69页 |
| 3.4.7 产率估算 | 第69-70页 |
| 3.4.8 成本估算 | 第70-71页 |
| 3.4.9 TEM的表征 | 第71-72页 |
| 3.4.10 自主研制芯片的优势 | 第72页 |
| 3.5 小结 | 第72-74页 |
| 第四章 结论与展望 | 第74-75页 |
| 4.1 主要结论 | 第74页 |
| 4.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
