高压4H-SiC JBS功率整流器的设计优化与实验验证
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 SiC JBS功率整流器的发展与现状 | 第9-13页 |
| 1.2 本论文的主要内容 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 半导体器件的原理及仿真技术 | 第16-26页 |
| 2.1 半导体器件基本物理方程 | 第16-17页 |
| 2.2 半导体击穿理论 | 第17-18页 |
| 2.3 仿真平台介绍 | 第18-24页 |
| 2.3.1 仿真软件介绍 | 第19-20页 |
| 2.3.2 仿真物理模型简介 | 第20-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 4H-SIC整流器元胞结构设计 | 第26-40页 |
| 3.1 碳化硅功率整流器结构 | 第26-34页 |
| 3.1.1 4H-SiC PiN功率整流器结构 | 第27-29页 |
| 3.1.2 4H-SiC SBD功率整流器结构 | 第29-31页 |
| 3.1.3 4H-SiC JBS功率整流器结构 | 第31-34页 |
| 3.2 4H-SiC JBS二极管元胞结构设计 | 第34-39页 |
| 3.2.1 N-外延层厚度浓度 | 第35-36页 |
| 3.2.2 P+环宽度W和P+环间距S | 第36-38页 |
| 3.2.3 P+环浓度分布 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 4H-SICJBS整流器结终端设计 | 第40-69页 |
| 4.1 平面器件曲率效应 | 第40-41页 |
| 4.2 场板技术研究 | 第41-45页 |
| 4.3 场限环(保护环)技术研究 | 第45-53页 |
| 4.4 JTE结终端扩展技术研究 | 第53-68页 |
| 4.4.1 单区JTE结终端结构 | 第54-57页 |
| 4.4.2 单区刻蚀型JTE结终端结构 | 第57-60页 |
| 4.4.3 多区刻蚀型JTE结终端结构设计 | 第60-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 JBS功率整流器工艺流程和版图设计 | 第69-77页 |
| 5.1 4H-SiC 功率二极管流片实验工艺流程 | 第69-74页 |
| 5.2 流片实验测试 | 第74-76页 |
| 5.3 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-79页 |
| 6.1 本文的主要工作 | 第77-78页 |
| 6.2 本文的问题及展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
