| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-21页 |
| ·课题的研究背景 | 第11-13页 |
| ·太阳电池的特点和分类 | 第13-15页 |
| ·太阳电池的特点 | 第13页 |
| ·太阳电池的分类 | 第13-15页 |
| ·太阳电池的国内外研究现状和进展 | 第15-18页 |
| ·国际太阳电池的研究进展 | 第15-17页 |
| ·国内太阳电池的研究进展 | 第17-18页 |
| ·氢化纳米硅薄膜材料应用 | 第18-19页 |
| ·本课题的研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜的结构、性能和制备方法 | 第21-36页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的结构 | 第21-22页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的制备方法 | 第22-26页 |
| ·物理气相沉积及溅射法 | 第23-24页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第24-26页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的生长机制 | 第26-29页 |
| ·薄膜气相成核和成核长大 | 第26-27页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的淀积机理 | 第27-29页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的性能 | 第29-31页 |
| ·纳米材料的四个效应 | 第29-30页 |
| ·纳米材料的性能 | 第30-31页 |
| ·薄膜的性能与表征技术 | 第31-36页 |
| 第三章 氢化纳米硅薄膜的制备以及工艺条件对薄膜的影响 | 第36-54页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的制备 | 第36-39页 |
| ·氢化纳米硅薄膜制备的硬件设施 | 第36-37页 |
| ·衬底准备 | 第37-39页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的制备参数 | 第39页 |
| ·改变气体流量对氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第39-43页 |
| ·硅烷浓度对本征氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第40-42页 |
| ·硼烷浓度对P型氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第42-43页 |
| ·直流偏压对氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第43-45页 |
| ·直流偏压对本征氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第44页 |
| ·直流偏压对P型氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第44-45页 |
| ·其他工艺条件对氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第45-49页 |
| ·射频对氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第45-46页 |
| ·沉积时间对氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第46-47页 |
| ·沉积温度对本征氢化纳米硅薄膜微结构的影响 | 第47-49页 |
| ·制备条件对氢化纳米硅薄膜光学性能的影响 | 第49-54页 |
| ·制备条件对本征氢化纳米硅的影响 | 第50-52页 |
| ·制备条件对掺杂型氢化纳米硅薄膜的影响 | 第52-54页 |
| 第四章 单结氢化纳米硅薄膜太阳电池的研究 | 第54-69页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第54-57页 |
| ·太阳电池的构成材料—半导体材料 | 第54-55页 |
| ·本征半导体、掺杂半导体 | 第55页 |
| ·光子能量的吸收 | 第55-56页 |
| ·太阳电池的工作原理 | 第56-57页 |
| ·单结氢化纳米硅薄膜太阳电池的结构 | 第57-59页 |
| ·P型掺杂层 | 第58-59页 |
| ·N型掺杂层 | 第59页 |
| ·太阳电池输出性能的模拟 | 第59-64页 |
| ·太阳电池的输出特性 | 第59-61页 |
| ·太阳电池的输出性能模拟 | 第61-64页 |
| ·提高单结太阳电池效率的方法 | 第64-69页 |
| ·正面倒金字塔织构化 | 第65-67页 |
| ·背反射膜 | 第67-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-72页 |
| ·工作总结 | 第69-70页 |
| ·工作展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读学位期间发表的论文以及获奖情况 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |