| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 硅烯 | 第9-10页 |
| 1.2 单层硅烯的制备 | 第10-13页 |
| 1.2.1 硅烯在Ag(111)衬底表面的合成 | 第10-11页 |
| 1.2.2 硅烯在Ir(111)衬底表面的合成 | 第11-12页 |
| 1.2.3 硅烯在ZrB_2(0001)衬底表面的合成 | 第12页 |
| 1.2.4 硅烯在MoS_2衬底表面的合成 | 第12-13页 |
| 1.3 硅烯的研究发展状况 | 第13-18页 |
| 1.3.1 硅烯吸附氢原子的研究 | 第13-15页 |
| 1.3.2 硅烯吸附卤素原子的研究 | 第15-16页 |
| 1.3.3 硅烯吸附碱金属、碱土金属和过渡金属的研究 | 第16-18页 |
| 1.3.4 硅烯的其他研究 | 第18页 |
| 1.4 本文的选题意义与主要内容 | 第18-20页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第18-19页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第19-20页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第20-25页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 第一性原理计算 | 第20-22页 |
| 2.2.1 多电子体系的薛定谔方程 | 第20-21页 |
| 2.2.2 Hartree-fock近似 | 第21页 |
| 2.2.3 布洛赫(Bloch)波 | 第21-22页 |
| 2.3 密度泛函理论简介 | 第22-24页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn(HK)定理 | 第22页 |
| 2.3.2 Kohn-sham方程 | 第22-23页 |
| 2.3.3 交换关联近似 | 第23-24页 |
| 2.4 自旋极化效应 | 第24-25页 |
| 第3章 单边卤化硅烯的电子性质研究 | 第25-34页 |
| 3.1 二维材料的官能化 | 第25页 |
| 3.2 模型与方法 | 第25-27页 |
| 3.3 Si_2X_1(X=F、Cl、Br、I)的结构、电子和磁性质研究 | 第27-33页 |
| 3.3.1 结构及稳定性 | 第27-30页 |
| 3.3.2 电子性质 | 第30页 |
| 3.3.3 磁性质 | 第30-33页 |
| 3.4 小结 | 第33-34页 |
| 第4章 应变对单边卤化硅烯电子性质的调控研究 | 第34-44页 |
| 4.1 二维材料施加应变 | 第34页 |
| 4.2 模型与方法 | 第34-36页 |
| 4.3 对称应变对单边卤化硅烯电子性质的调控 | 第36-40页 |
| 4.3.1 对称拉伸应变对Si_2X_1(X=F、Cl、Br、I)电子性质的调控 | 第36-39页 |
| 4.3.2 对称压缩应变对Si_2F_1、Si_2Br_1电子性质的调控 | 第39页 |
| 4.3.3 对称拉伸应变对Si_2X_1(X=F、Cl、Br、I)磁性质的调控 | 第39-40页 |
| 4.4 非对称应变对Si_2Br_1电子性质的调控 | 第40-43页 |
| 4.4.1 //Zigzig型应变对Si_2Br_1电子性质的调控 | 第40-41页 |
| 4.4.2 //Armchair型应变对Si_2Br_1电子性质的调控 | 第41-42页 |
| 4.4.3 Si_2Br_1的弹性性质 | 第42-43页 |
| 4.5 小结 | 第43-44页 |
| 第5章 结论与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 结论 | 第44页 |
| 5.2 展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间完成的主要工作 | 第52页 |
