摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第8-23页 |
1.1 二维薄膜材料概述 | 第8-15页 |
1.1.1 单原子层二维薄膜材料 | 第8-12页 |
1.1.2 多原子层二维薄膜材料 | 第12-14页 |
1.1.3 二维薄膜材料构造三维材料 | 第14-15页 |
1.2 拓扑理论和拓扑相 | 第15-22页 |
1.2.1 拓扑理论的发展 | 第15-17页 |
1.2.2 三维金属和半金属中的拓扑相 | 第17-22页 |
1.3 论文的研究意义及本论文的内容安排 | 第22-23页 |
第2章 研究理论及方法 | 第23-27页 |
2.1 密度泛函理论 | 第23-25页 |
2.1.1 多粒子体系中的简化:绝热近似与平均场近似 | 第23-24页 |
2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第25页 |
2.2 紧束缚近似 | 第25-26页 |
2.3 k·p微扰理论 | 第26-27页 |
第3章 单层半导体堆垛成点式相交节点环 | 第27-34页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 拓扑相位和计算模型 | 第27-32页 |
3.3 结论 | 第32-34页 |
第4章 在层状材料中构造三重简并点和Nexus点 | 第34-41页 |
4.1 引言 | 第34-35页 |
4.2 计算模型和能带变化 | 第35-40页 |
4.3 结论 | 第40-41页 |
第5章 总结和展望 | 第41-43页 |
5.1 总结 | 第41页 |
5.2 展望 | 第41-43页 |
参考文献 | 第43-48页 |
致谢 | 第48-50页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第50页 |