| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 二维材料发展 | 第10-11页 |
| 1.2 常见的二维材料的种类 | 第11-13页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第11页 |
| 1.2.2 六方氮化硼(h-BN) | 第11页 |
| 1.2.3 过渡金属硫属化合物 | 第11-12页 |
| 1.2.4 碘化物 | 第12-13页 |
| 1.2.5 非层状硫化物 | 第13页 |
| 1.3 合成方法 | 第13-17页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 液相剥离法 | 第14-15页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 物理气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.3.5 湿化学合成法 | 第17页 |
| 1.4 基于二维材料的范德华异质结 | 第17-19页 |
| 1.5 二维材料及范德华异质结在电学领域的应用 | 第19-21页 |
| 1.6 本文的研究构想 | 第21-23页 |
| 第2章 自非层状γ-CuI制备二维纳米片及其表征 | 第23-38页 |
| 2.1 前言 | 第23-24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-26页 |
| 2.2.1 实验试剂与仪器 | 第24-25页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第25-26页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第26-37页 |
| 2.3.1 生长条件对γ-CuI纳米片的影响 | 第26-30页 |
| 2.3.2 γ-CuI纳米片的OM和AFM表征 | 第30-32页 |
| 2.3.3 γ-CuI纳米片的Raman表征 | 第32-34页 |
| 2.3.4 γ-CuI纳米片的XRD表征 | 第34-35页 |
| 2.3.5 γ-CuI纳米片的SEM及TEM表征 | 第35-36页 |
| 2.3.6 γ-CuI纳米片的电学性能测试 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 γ-CuI/WSe_2和γ-CuI/WS2范德华异质结的制备及表征 | 第38-52页 |
| 3.1 前言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 | 第39-40页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第40-41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 3.3.1 单晶WSe_2和WS2纳米片的OM和AFM表征 | 第41-43页 |
| 3.3.2 单晶WSe_2和WS2纳米片的Raman表征 | 第43-44页 |
| 3.3.3 单晶WSe_2和WS2纳米片的PL表征 | 第44页 |
| 3.3.4 二维γ-CuI/WSe_2和γ-CuI/WS_2范德华异质结的OM表征 | 第44-46页 |
| 3.3.5 二维γ-CuI/WSe_2和γ-CuI/WS_2范德华异质结的Raman和PL表征 | 第46-47页 |
| 3.3.6 二维γ-CuI/WSe_2范德华异质结的TEM表征 | 第47-49页 |
| 3.3.7 二维γ-CuI/WS_2范德华异质结的电学性能测试 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
