| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 ITO透明导电氧化物薄膜 | 第9-14页 |
| 1.2.1 微观结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第10-12页 |
| 1.2.3 光电性质 | 第12-13页 |
| 1.2.4 表面等离子体性质 | 第13-14页 |
| 1.3 ITO薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3.1 物理方法 | 第14页 |
| 1.3.2 化学方法 | 第14-15页 |
| 1.4 ITO薄膜的应用 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的研究依据及主要研究内容 | 第16-17页 |
| 1.6 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 表面等离子体理论基础 | 第18-28页 |
| 2.1 表面等离子体简介 | 第18-19页 |
| 2.1.1 概念 | 第18页 |
| 2.1.2 分类 | 第18-19页 |
| 2.2 表面等离子体的基本性质 | 第19-23页 |
| 2.2.1 色散关系 | 第20-21页 |
| 2.2.2 物理特性 | 第21页 |
| 2.2.3 特征长度 | 第21-23页 |
| 2.3 表面等离子体材料 | 第23-25页 |
| 2.3.1 金属材料 | 第23页 |
| 2.3.2 半导体材料 | 第23-24页 |
| 2.3.3 其它材料 | 第24-25页 |
| 2.4 表面等离子体材料的应用 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小节 | 第27-28页 |
| 第三章 磁控溅射法制备ITO薄膜及其光电性能分析 | 第28-44页 |
| 3.1 实验工艺流程 | 第28-30页 |
| 3.1.1 实验装置 | 第28页 |
| 3.1.2 实验原料及参数 | 第28-29页 |
| 3.1.3 实验流程 | 第29-30页 |
| 3.2 表征与测试方法 | 第30页 |
| 3.3 工艺参数调控对ITO薄膜的晶体结构、形貌与光电性质影响 | 第30-43页 |
| 3.3.1 温度调控下的ITO薄膜 | 第31-34页 |
| 3.3.2 溅射时间调控下的ITO薄膜 | 第34-39页 |
| 3.3.3 不同衬底调控下的ITO薄膜 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 ITO薄膜的表面等离子体性能研究 | 第44-57页 |
| 4.1 工艺参数调控ITO薄膜光学特性分析 | 第44-49页 |
| 4.1.1 制备温度调控ITO薄膜光学特性分析 | 第44-46页 |
| 4.1.2 溅射时间调控ITO薄膜光学特性分析 | 第46-47页 |
| 4.1.3 不同衬底调控ITO薄膜光学特性分析 | 第47-49页 |
| 4.2 ITO薄膜介电常数的理论计算 | 第49-51页 |
| 4.3 时域有限差分法模拟ITO的LSPR特性分析 | 第51-55页 |
| 4.3.1 不同构形ITO纳米阵列的LSPR理论模拟 | 第51-53页 |
| 4.3.2 ITO正方形阵列边长调控LSPR波长 | 第53-54页 |
| 4.3.3 ITO正方形阵列高度调控LSPR波长 | 第54-55页 |
| 4.3.4 ITO正方形阵列间距调控LSPR波长 | 第55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第63页 |
