摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 序言 | 第10-28页 |
1.1 有机半导体器件概述 | 第11-21页 |
1.1.1 有机太阳能电池 | 第11-13页 |
1.1.2 有机发光二极管 | 第13-15页 |
1.1.3 有机场效应晶体管 | 第15-18页 |
1.1.4 有机薄膜传感器 | 第18-21页 |
1.2 有机半导体薄膜的生长 | 第21-24页 |
1.2.1 有机半导体薄膜的生长方法 | 第21-23页 |
1.2.2 有机半导体薄膜在底接触电极结构上的生长及其存在的问题 | 第23-24页 |
1.3 论文的研究思路 | 第24-25页 |
1.4 论文的实验方法 | 第25-28页 |
1.4.1 薄膜的制备方法 | 第25页 |
1.4.2 薄膜的表征方法 | 第25页 |
1.4.3 底接触电极结构薄膜晶体管的制备及测试 | 第25-28页 |
第二章 基于六联苯诱导层的并五苯底接触薄膜晶体管 | 第28-53页 |
2.1 引言 | 第28-31页 |
2.2 并五苯薄膜在具有六联苯诱导层的底接触电极基底上的生长行为 | 第31-39页 |
2.2.1 并五苯分子在底接触电极结构上的生长 | 第31-33页 |
2.2.2 六联苯分子在底接触电极结构上的生长 | 第33-35页 |
2.2.3 并五苯薄膜在含六联苯诱导层的底接触结构上的生长 | 第35-39页 |
2.3 基于六联苯诱导层底接触结构的并五苯薄膜晶体管 | 第39-46页 |
2.3.1 并五苯薄膜底接触晶体管器件性能 | 第39-41页 |
2.3.2 基于六联苯分子诱导的并五苯薄膜底接触晶体管性能 | 第41-45页 |
2.3.3 六联苯层的厚度对并五苯薄膜晶体管器件性能的影响 | 第45-46页 |
2.4 六联苯诱导层对于底接触式并五苯薄膜晶体管的电阻分析 | 第46-51页 |
2.5 总结 | 第51-53页 |
第三章 基于六联苯诱导层的n型半导体底接触薄膜晶体管 | 第53-65页 |
3.1 引言 | 第53-55页 |
3.2 基于六联苯诱导层的F_(16)CuPc底接触薄膜晶体管 | 第55-60页 |
3.2.1 F_(16)CuPc薄膜在含六联苯诱导层的底接触电极结构上的生长 | 第55-58页 |
3.2.2 含六联苯诱导层的F_(16)CuPc底接触薄膜晶体管器件性能研究 | 第58-60页 |
3.3 基于六联苯诱导层的PTCDI-Ph底接触薄膜晶体管 | 第60-64页 |
3.3.1 六联苯分子在底接触电极结构上诱导PTCDI-Ph薄膜的生长 | 第60-62页 |
3.3.2 六联苯分子在底接触电极结构上诱导生长PTCDI-Ph薄膜的器件性能 | 第62-64页 |
3.4 总结 | 第64-65页 |
第四章 论文工作总结 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-78页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第78-79页 |
致谢 | 第79-80页 |