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高性能大面积底接触有机薄膜晶体管

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 序言第10-28页
    1.1 有机半导体器件概述第11-21页
        1.1.1 有机太阳能电池第11-13页
        1.1.2 有机发光二极管第13-15页
        1.1.3 有机场效应晶体管第15-18页
        1.1.4 有机薄膜传感器第18-21页
    1.2 有机半导体薄膜的生长第21-24页
        1.2.1 有机半导体薄膜的生长方法第21-23页
        1.2.2 有机半导体薄膜在底接触电极结构上的生长及其存在的问题第23-24页
    1.3 论文的研究思路第24-25页
    1.4 论文的实验方法第25-28页
        1.4.1 薄膜的制备方法第25页
        1.4.2 薄膜的表征方法第25页
        1.4.3 底接触电极结构薄膜晶体管的制备及测试第25-28页
第二章 基于六联苯诱导层的并五苯底接触薄膜晶体管第28-53页
    2.1 引言第28-31页
    2.2 并五苯薄膜在具有六联苯诱导层的底接触电极基底上的生长行为第31-39页
        2.2.1 并五苯分子在底接触电极结构上的生长第31-33页
        2.2.2 六联苯分子在底接触电极结构上的生长第33-35页
        2.2.3 并五苯薄膜在含六联苯诱导层的底接触结构上的生长第35-39页
    2.3 基于六联苯诱导层底接触结构的并五苯薄膜晶体管第39-46页
        2.3.1 并五苯薄膜底接触晶体管器件性能第39-41页
        2.3.2 基于六联苯分子诱导的并五苯薄膜底接触晶体管性能第41-45页
        2.3.3 六联苯层的厚度对并五苯薄膜晶体管器件性能的影响第45-46页
    2.4 六联苯诱导层对于底接触式并五苯薄膜晶体管的电阻分析第46-51页
    2.5 总结第51-53页
第三章 基于六联苯诱导层的n型半导体底接触薄膜晶体管第53-65页
    3.1 引言第53-55页
    3.2 基于六联苯诱导层的F_(16)CuPc底接触薄膜晶体管第55-60页
        3.2.1 F_(16)CuPc薄膜在含六联苯诱导层的底接触电极结构上的生长第55-58页
        3.2.2 含六联苯诱导层的F_(16)CuPc底接触薄膜晶体管器件性能研究第58-60页
    3.3 基于六联苯诱导层的PTCDI-Ph底接触薄膜晶体管第60-64页
        3.3.1 六联苯分子在底接触电极结构上诱导PTCDI-Ph薄膜的生长第60-62页
        3.3.2 六联苯分子在底接触电极结构上诱导生长PTCDI-Ph薄膜的器件性能第62-64页
    3.4 总结第64-65页
第四章 论文工作总结第65-67页
参考文献第67-78页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第78-79页
致谢第79-80页

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