| 摘要 | 第8-10页 |
| abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第16-50页 |
| §1.1 拓扑绝缘体材料简介 | 第16-17页 |
| §1.2 霍尔效应与拓扑绝缘体材料的发展 | 第17-20页 |
| §1.3 拓扑绝缘体材料 | 第20-27页 |
| §1.4 拓扑绝缘体材料的制备方法 | 第27-39页 |
| §1.5 拓扑绝缘体材料光学特性及其应用 | 第39-47页 |
| 1.5.1 拓扑绝缘体材料的光学特性 | 第39-43页 |
| 1.5.2 拓扑绝缘体材料的应用 | 第43-47页 |
| §1.6 本论文的研究内容及创新点 | 第47-50页 |
| 第二章 Bi_2Te_3的制备及其环形光束的产生 | 第50-79页 |
| §2.1 溶剂热法制备Bi_2Te_3 | 第51-58页 |
| 2.1.1 化学试剂与实验仪器 | 第51-52页 |
| 2.1.2 反应条件对Bi_2Te_3形貌的影响 | 第52-58页 |
| §2.2 注入法制备Bi_2Te_3 | 第58-64页 |
| 2.2.1 化学试剂与实验仪器 | 第58-60页 |
| 2.2.2 反应条件对Bi_2Te_3形貌的影响 | 第60-64页 |
| §2.3 溶剂热法制备Bi_2Te_3 | 第64-68页 |
| 2.3.1 化学试剂与实验仪器 | 第64-65页 |
| 2.3.2 溶剂热制备拓扑绝缘体材料Bi_2Te_3 | 第65-66页 |
| 2.3.3 材料结构表征仪器 | 第66页 |
| 2.3.4 拓扑绝缘体纳米片的形貌及结构表征 | 第66-68页 |
| §2.4 基于拓扑绝缘体Bi_2Te_3的环形光束 | 第68-77页 |
| 2.4.1 环形光束实验装置 | 第68-69页 |
| 2.4.2 结果与分析 | 第69-77页 |
| §2.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第三章 Bi_2Se_3的制备及其在双色全光开关中的应用 | 第79-110页 |
| §3.1 注入法制备Bi_2Se_3 | 第80-90页 |
| 3.1.1 化学试剂与实验仪器 | 第80-82页 |
| 3.1.2 反应条件对Bi_2Se_3形貌的影响 | 第82-90页 |
| §3.2 溶剂热法制备Bi2Se | 第90-97页 |
| 3.2.1 化学试剂与实验仪器 | 第90-91页 |
| 3.2.2 反应条件对Bi_2Se_3形貌的影响 | 第91-97页 |
| §3.3 注入法制备Bi_2Se_3 | 第97-102页 |
| 3.3.1 化学试剂与实验仪器 | 第97-98页 |
| 3.3.2 注入法制备拓扑绝缘体材料Bi_2Se_3 | 第98-99页 |
| 3.3.3 Bi_2Se_3纳米片的形貌及结构表征 | 第99-102页 |
| §3.4 基于拓扑绝缘体Bi_2Se_3的环形光束 | 第102-109页 |
| 3.4.1 双色全光开关实验装置 | 第102-104页 |
| 3.4.2 结果与分析 | 第104-109页 |
| §3.5 本章小结 | 第109-110页 |
| 第四章 Sb_2Te_3的制备及其环形光束的产生 | 第110-135页 |
| §4.1 溶剂热法制备Sb_2Te_3 | 第110-119页 |
| 4.1.1 化学试剂与实验仪器 | 第110-112页 |
| 4.1.2 反应条件对Sb_2Te_3形貌的影响 | 第112-119页 |
| §4.2 注入法制备Sb_2Te_3 | 第119-125页 |
| 4.2.1 化学试剂与实验仪器 | 第119-120页 |
| 4.2.2 反应条件对Sb_2Te_3形貌的影响 | 第120-125页 |
| §4.3 溶剂热法制备Sb_2Te_3 | 第125-130页 |
| 4.3.1 化学试剂与实验仪器 | 第125-126页 |
| 4.3.2 溶剂热法制备拓扑绝缘体材料Sb_2Te_3 | 第126-127页 |
| 4.3.3 Sb_2Te_3纳米片的形貌及结构表征 | 第127-130页 |
| §4.4 基于拓扑绝缘体Sb_2Te_3的环形光束 | 第130-134页 |
| 4.4.1 环形光束实验装置 | 第130-131页 |
| 4.4.2 结果与分析 | 第131-134页 |
| §4.5 本章小结 | 第134-135页 |
| 第五章 Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结的制备及其空间自相位调制效应 | 第135-145页 |
| §5.1 Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结材料的制备 | 第136-140页 |
| 5.1.1 化学试剂与实验仪器 | 第136-137页 |
| 5.1.2 注入法制备Bi_2Se_3种子纳米片 | 第137-138页 |
| 5.1.3 Bi_2Se_3种子纳米片的形貌 | 第138页 |
| 5.1.4 制备Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结 | 第138页 |
| 5.1.5 Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结的形貌及结构表征 | 第138-140页 |
| §5.2 Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结的宽带非线性光学响应及其全光开关 | 第140-144页 |
| 5.2.1 Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结的空间自相位调制效应 | 第140-143页 |
| 5.2.2 基于Bi_2Se_3/Bi_2Te_3异质结的全光开关 | 第143-144页 |
| §5.3 本章小结 | 第144-145页 |
| 第六章 结论 | 第145-148页 |
| §6.1 本文工作总结 | 第145-146页 |
| §6.2 未来工作展望 | 第146-148页 |
| 致谢 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-167页 |
