0-4GHz MMIC集成串并转换数控衰减器芯片研制
致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7页 |
1 绪论 | 第10-15页 |
1.1 MMIC概述 | 第10-12页 |
1.2 本论文研究背景及意义 | 第12-13页 |
1.3 本论文的主要内容 | 第13-15页 |
2 集成串并转换数控衰减器芯片设计原理 | 第15-28页 |
2.1 串并转换模块原理 | 第15-18页 |
2.1.1 GaAs数字电路原理 | 第15-18页 |
2.2 数控衰减器原理 | 第18-27页 |
2.2.1 数控衰减器技术指标 | 第18-19页 |
2.2.2 pHEMT开关器件 | 第19-23页 |
2.2.3 衰减器常用拓扑结构 | 第23-27页 |
2.3 本章小结 | 第27-28页 |
3 集成串并转换模块数控衰减器设计实现 | 第28-62页 |
3.1 数字串并转换模块设计 | 第29-39页 |
3.1.1 基础门电路设计 | 第29-32页 |
3.1.2 串并转换模块原理图设计 | 第32-39页 |
3.2 六位数控衰减器设计指标 | 第39-40页 |
3.3 各位衰减位设计 | 第40-61页 |
3.3.1 0.5dB衰减位设计 | 第40-46页 |
3.3.2 1dB衰减位设计 | 第46-47页 |
3.3.3 2dB衰减位设计 | 第47-51页 |
3.3.4 4dB与8dB衰减位设计 | 第51-55页 |
3.3.5 16dB衰减位设计 | 第55-58页 |
3.3.6 六位衰减位整体级联仿真设计 | 第58-61页 |
3.4 本章小结 | 第61-62页 |
4 集成串并转换模块数控衰减器芯片测试结果 | 第62-69页 |
4.1 MMIC数控衰减器芯片实物版图 | 第62-63页 |
4.2 芯片在片测试 | 第63-67页 |
4.2.1 芯片在片测试系统的搭建与测试 | 第63-64页 |
4.2.2 芯片在片测试结果分析 | 第64-67页 |
4.3 芯片性能比较 | 第67-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-69页 |
5 总结 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-74页 |
作者简历及在学期间取得的科研成果 | 第74页 |